時間�2025/5/13 18:22:48
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CDR31BX561BMZRAT 是一款由羅姆（ROHM）公司生產的高耐壓MOSFET芯片，主要應用于需要高效率和低功耗的場景。該器件采用溝槽型結構設�，能夠提供較低的導通電阻和較高的開關性能，同時具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠�。其封裝形式� HTSSOP-B20 (表面貼裝)，非常適合在緊湊型電路中使用�
最大漏源電壓：700V
連續(xù)漏極電流�5.9A
柵極-源極電壓：�20V
導通電阻（典型值）�480mΩ
總功耗：26W
工作溫度范圍�-55� � +150�
封裝類型：HTSSOP-B20
CDR31BX561BMZRAT 的核心優(yōu)勢在于其高耐壓能力與低導通電阻的平衡，這使得它能夠在硬開關應用中保持高效運��
1. 高擊穿電壓（700V）使其適合用于高壓環(huán)境下的電源轉換和電機驅動等場景�
2. 采用了先進的工藝技術以降低導通電阻（典型值為480mΩ�，從而減少了功率損��
3. 快速開關性能有助于減少開關損耗，并提升整體系�(tǒng)效率�
4. 封裝緊湊且具有良好的散熱性能，便于在小型化設計中集成�
5. 符合 RoHS 標準，支持環(huán)保要��
該器件廣泛適用于各種工業(yè)及消費類電子產品中的電源管理模塊�
1. 開關電源（SMPS�
2. 逆變�
3. 電機驅動�
4. LED 照明驅動
5. 不間斷電源（UPS�
6. 充電器及適配�
由于其高耐壓特性和高效表現(xiàn)，特別推薦用于需要處理高壓輸入或輸出的應用場��
CDR31BX560BMZRAT
CDR31BX562BMZRAT
IRF840
FQA59P70B
