時間：2025/5/20 13:49:02
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CDR33BP132BFZPAT是一款高性能的功率MOSFET芯片，廣泛應用于開關電源、DC-DC轉換器和電機驅動等領域。該器件采用先進的半導體制造工藝，具備低導通電阻和高電流處理能力，能夠顯著提高系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。
該芯片具有出色的熱性能和可靠性，能夠在高溫環(huán)境下長時間穩(wěn)定工作，適用于工業(yè)控制、通信設備及消費類電子等多種應用場景。
最大漏源電壓：100V
連續(xù)漏極電流：32A
導通電阻：2.6mΩ
柵極電荷：85nC
開關速度：超高速
封裝類型：TO-247
工作溫度范圍：-55℃ to 150℃
CDR33BP132BFZPAT的主要特性包括：
1. 極低的導通電阻（2.6mΩ），有助于減少功率損耗并提升系統(tǒng)效率。
2. 高電流承載能力（32A），可滿足大功率應用的需求。
3. 超高速開關性能，支持高頻開關操作，適合于開關電源和DC-DC轉換器。
4. 優(yōu)異的熱性能設計，確保在高溫環(huán)境下的穩(wěn)定運行。
5. 強大的抗靜電能力，提高了產(chǎn)品的可靠性和使用壽命。
6. 符合RoHS標準，環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求。
CDR33BP132BFZPAT的應用領域非常廣泛，主要包括：
1. 開關模式電源（SMPS）
2. DC-電機驅動與控制
4. 工業(yè)自動化設備
5. 通信電源
6. 消費類電子產(chǎn)品中的電源管理模塊
其高效能和高可靠性使其成為許多高功率應用的理想選擇。
CDR33BP132BFZPAN, IRFP260N, STP132N10F5
