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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > CDR33BP132BFZRAT

CDR33BP132BFZRAT 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/6 18:10:14 查看 閱讀�9

CDR33BP132BFZRAT是一款高性能的功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),主要用于需要高效率和低�(dǎo)通電阻的�(yīng)用場(chǎng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具備出色的開(kāi)�(guān)特性和熱性能,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)��
  其封裝形式為T(mén)O-252(DPAK),適合表面貼裝技�(shù)(SMT),有助于提高生產(chǎn)效率并降低整體系�(tǒng)成本�

參數(shù)

型號(hào):CDR33BP132BFZRAT
  �(lèi)型:N溝道功率MOSFET
  VDS(漏源電壓)�100V
  RDS(on)(�(dǎo)通電�)�0.13Ω
  ID(連續(xù)漏極電流)�32A
  Qg(柵極電荷)�18nC
  fT(截止頻率)�2.7MHz
  封裝:TO-252(DPAK)
  工作溫度范圍�-55℃至150�

特�

CDR33BP132BFZRAT具有以下顯著特性:
  1. 高效的導(dǎo)通性能,低�(dǎo)通電�(RDS(on)),在大電流條件下能夠有效減少功率損��
  2. 快速開(kāi)�(guān)能力,得益于較低的柵極電�(Qg)和較高的截止頻率(fT),適用于高頻�(yīng)用環(huán)��
  3. 良好的熱�(wěn)定性,確保在高溫環(huán)境下仍能保持�(wěn)定的工作狀�(tài)�
  4. 小型化封裝設(shè)�(jì),適合現(xiàn)代電子產(chǎn)品對(duì)緊湊空間的需��
  5. 提供�(qiáng)大的�(guò)流保�(hù)功能,增�(qiáng)系統(tǒng)的可靠��

�(yīng)�

該芯片主要應(yīng)用于以下幾�(gè)�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率�(kāi)�(guān)元件�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心組�,用于電壓調(diào)節(jié)�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中作為功率級(jí)�(kāi)�(guān)�
  4. 各類(lèi)工業(yè)控制�(shè)備中的功率管理模��
  5. 充電�、適配器等便攜式電子�(shè)備中的關(guān)鍵功率器��

替代型號(hào)

CDR33BP132BFZRA, IRFZ44N, FDP5570N

cdr33bp132bfzrat參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR33
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容1300 pF
  • 容差±1%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)BP
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特�-
  • 等級(jí)-
  • �(yīng)�高可靠�
  • 故障�R�0.01%�
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.049"�1.25mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-