CDR33BP132BFZRAT是一款高性能的功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),主要用于需要高效率和低�(dǎo)通電阻的�(yīng)用場(chǎng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具備出色的開(kāi)�(guān)特性和熱性能,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)��
其封裝形式為T(mén)O-252(DPAK),適合表面貼裝技�(shù)(SMT),有助于提高生產(chǎn)效率并降低整體系�(tǒng)成本�
型號(hào):CDR33BP132BFZRAT
�(lèi)型:N溝道功率MOSFET
VDS(漏源電壓)�100V
RDS(on)(�(dǎo)通電�)�0.13Ω
ID(連續(xù)漏極電流)�32A
Qg(柵極電荷)�18nC
fT(截止頻率)�2.7MHz
封裝:TO-252(DPAK)
工作溫度范圍�-55℃至150�
CDR33BP132BFZRAT具有以下顯著特性:
1. 高效的導(dǎo)通性能,低�(dǎo)通電�(RDS(on)),在大電流條件下能夠有效減少功率損��
2. 快速開(kāi)�(guān)能力,得益于較低的柵極電�(Qg)和較高的截止頻率(fT),適用于高頻�(yīng)用環(huán)��
3. 良好的熱�(wěn)定性,確保在高溫環(huán)境下仍能保持�(wěn)定的工作狀�(tài)�
4. 小型化封裝設(shè)�(jì),適合現(xiàn)代電子產(chǎn)品對(duì)緊湊空間的需��
5. 提供�(qiáng)大的�(guò)流保�(hù)功能,增�(qiáng)系統(tǒng)的可靠��
該芯片主要應(yīng)用于以下幾�(gè)�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率�(kāi)�(guān)元件�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心組�,用于電壓調(diào)節(jié)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中作為功率級(jí)�(kāi)�(guān)�
4. 各類(lèi)工業(yè)控制�(shè)備中的功率管理模��
5. 充電�、適配器等便攜式電子�(shè)備中的關(guān)鍵功率器��
CDR33BP132BFZRA, IRFZ44N, FDP5570N