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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > CDR33BP132BKZRAT

CDR33BP132BKZRAT 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 22:40:27 查看 閱讀�13

CDR33BP132BKZRAT 是一款基于碳化硅 (SiC) 技�(shù)的功� MOSFET,專為高效率和高頻應(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用 D2PAK-7 封裝形式,具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適合用于電�(dòng)汽車、太�(yáng)能逆變�、服�(wù)器電源等高效能量�(zhuǎn)換場(chǎng)��
  該芯片利� SiC 材料的優(yōu)異性能,能夠顯著降低傳�(dǎo)和開(kāi)�(guān)損�,同�(shí)支持更高的工作溫度范圍。其先�(jìn)的封裝技�(shù)也�(jìn)一步提升了散熱性能,從而增�(qiáng)了系�(tǒng)的整體可靠��

參數(shù)

最大漏源電壓:1200V
  連續(xù)漏極電流�33A
  �(dǎo)通電阻:3.5mΩ
  柵極電荷�165nC
  反向恢復(fù)�(shí)間:60ns
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�

特�

CDR33BP132BKZRAT 提供了卓越的電氣性能和熱性能,其主要特點(diǎn)如下�
  1. 基于 SiC 技�(shù)的功� MOSFET,具備更低的�(dǎo)通電阻和更高的效��
  2. 支持高達(dá) 1200V 的漏源電�,適用于高壓�(yīng)用場(chǎng)��
  3. 極低的柵極電荷和輸出電荷,確??焖匍_(kāi)�(guān)速度,減少開(kāi)�(guān)損��
  4. 反向恢復(fù)�(shí)間短,�(jìn)一步優(yōu)化高頻操作時(shí)的性能�
  5. 工作溫度范圍寬廣,可適應(yīng)極端�(huán)境條��
  6. 先�(jìn)� D2PAK-7 封裝形式提供出色的散熱能力和易于安裝的優(yōu)�(shì)�

�(yīng)�

這款功率 MOSFET 廣泛�(yīng)用于需要高效率和高功率密度的場(chǎng)合,具體包括�
  1. 電動(dòng)汽車中的牽引逆變器和車載充電��
  2. 太陽(yáng)能光伏逆變器,用于將直流電�(zhuǎn)換為交流��
  3. �(shù)�(jù)中心和工�(yè)�(shè)備中的高� DC-DC �(zhuǎn)換器�
  4. 不間斷電� (UPS) 系統(tǒng)�
  5. 高頻諧振變換器和其他要求快速開(kāi)�(guān)能力的電力電子系�(tǒng)�

替代型號(hào)

CDR33BP120BZDAT, CDR28BP1200BZPAT

cdr33bp132bkzrat參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR33
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容1300 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)BP
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特�-
  • 等級(jí)-
  • �(yīng)�高可靠�
  • 故障�R�0.01%�
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.049"�1.25mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-