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CDR33BP272AFZRAT 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/31 0:54:16 查看 閱讀�17

CDR33BP272AFZRAT 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高性能功率晶體�,適用于高頻、高效率電源�(zhuǎn)換應(yīng)�。該器件采用了先�(jìn)的封裝工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,能夠顯著提高系�(tǒng)的功率密度和效率�
  這款晶體管主要應(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、AC-DC 電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及通信基站等場�。其卓越的熱性能和可靠性使其成為高功率密度�(shè)�(jì)的理想選��

參數(shù)

類型:功率晶體管
  材料:氮化鎵 (GaN)
  最大漏源電� (Vds)�600 V
  最大連續(xù)漏極電流 (Id)�25 A
  �(dǎo)通電� (Rds(on))�27 mΩ
  柵極電荷 (Qg)�80 nC
  開關(guān)頻率:高�(dá) 2 MHz
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C
  封裝類型:TO-247-4L

特�

CDR33BP272AFZRAT 擁有出色的電氣特性和�(jī)械性能�
  1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),可減少傳導(dǎo)損�,從而提高整體效率�
  2. 高速開�(guān)能力,支持高�(dá) 2 MHz 的開�(guān)頻率,適合高頻應(yīng)用�
  3. �(nèi)置反向恢�(fù)二極�,有助于降低開關(guān)噪聲并提高系�(tǒng)�(wěn)定��
  4. 先�(jìn)的封裝設(shè)�(jì)提供了優(yōu)秀的散熱性能,使器件能夠在高溫環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),確保環(huán)保與安全性�
  6. 提供了增�(qiáng)� ESD 和雪崩保�(hù)功能,增�(qiáng)了器件的耐用性�

�(yīng)�

CDR33BP272AFZRAT 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 工業(yè)�(jí) AC-DC 開關(guān)電源及適配器�
  2. �(shù)�(jù)中心服務(wù)器電源模��
  3. 電動(dòng)車輛中的車載充電器和逆變器�
  4. 太陽能微型逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)�
  5. 高效電機(jī)�(qū)�(dòng)控制��
  6. 通信�(shè)備中的電源管理單��
  由于其高頻特性和高效率表�(xiàn),該芯片在追求小型化和高效率的設(shè)�(jì)中非常受歡迎�

替代型號(hào)

CDR33BP272AFZLAT, CDR33BP272AFZPAT

cdr33bp272afzrat參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR33
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容2700 pF
  • 容差±1%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)BP
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特�-
  • 等級(jí)-
  • �(yīng)�高可靠�
  • 故障�R�0.01%�
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.049"�1.25mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-