CDR33BP272AFZRAT 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高性能功率晶體�,適用于高頻、高效率電源�(zhuǎn)換應(yīng)�。該器件采用了先�(jìn)的封裝工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,能夠顯著提高系�(tǒng)的功率密度和效率�
這款晶體管主要應(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、AC-DC 電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及通信基站等場�。其卓越的熱性能和可靠性使其成為高功率密度�(shè)�(jì)的理想選��
類型:功率晶體管
材料:氮化鎵 (GaN)
最大漏源電� (Vds)�600 V
最大連續(xù)漏極電流 (Id)�25 A
�(dǎo)通電� (Rds(on))�27 mΩ
柵極電荷 (Qg)�80 nC
開關(guān)頻率:高�(dá) 2 MHz
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
封裝類型:TO-247-4L
CDR33BP272AFZRAT 擁有出色的電氣特性和�(jī)械性能�
1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),可減少傳導(dǎo)損�,從而提高整體效率�
2. 高速開�(guān)能力,支持高�(dá) 2 MHz 的開�(guān)頻率,適合高頻應(yīng)用�
3. �(nèi)置反向恢�(fù)二極�,有助于降低開關(guān)噪聲并提高系�(tǒng)�(wěn)定��
4. 先�(jìn)的封裝設(shè)�(jì)提供了優(yōu)秀的散熱性能,使器件能夠在高溫環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),確保環(huán)保與安全性�
6. 提供了增�(qiáng)� ESD 和雪崩保�(hù)功能,增�(qiáng)了器件的耐用性�
CDR33BP272AFZRAT 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 工業(yè)�(jí) AC-DC 開關(guān)電源及適配器�
2. �(shù)�(jù)中心服務(wù)器電源模��
3. 電動(dòng)車輛中的車載充電器和逆變器�
4. 太陽能微型逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)�
5. 高效電機(jī)�(qū)�(dòng)控制��
6. 通信�(shè)備中的電源管理單��
由于其高頻特性和高效率表�(xiàn),該芯片在追求小型化和高效率的設(shè)�(jì)中非常受歡迎�
CDR33BP272AFZLAT, CDR33BP272AFZPAT