CDR33BP302AJZRAT是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先進的制造工藝設(shè)計。該芯片具有低導(dǎo)通電阻、高耐壓和快速開�(guān)速度等特�,適用于多種功率�(zhuǎn)換和�(qū)動應(yīng)�。其封裝形式為TO-252(DPAK�,能夠提供卓越的散熱性能和電氣穩(wěn)定��
該器件廣泛應(yīng)用于消費電子、工�(yè)控制、電源管理和電機�(qū)動等�(lǐng)域。由于其出色的電氣特性和可靠�,CDR33BP302AJZRAT成為許多工程師在�(shè)計高效率功率系統(tǒng)時的首選�
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�14A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�2.6mΩ
總功�(Ptot)�98W
工作溫度范圍(Ta)�-55� to +175�
封裝形式:TO-252 (DPAK)
CDR33BP302AJZRAT的核心優(yōu)勢在于其低導(dǎo)通電阻(2.6mΩ�,這有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高整體效率�
此外,該芯片還具備以下特點:
- 高額定電流能力(14A�,使其能夠在大功率應(yīng)用場景中�(wěn)定運��
- 快速開�(guān)速度,有效減少開�(guān)損��
- 高度可靠的設(shè)計,支持寬溫度范圍操作(-55℃至+175℃)�
- 具備出色的熱性能和電氣隔離性能,適�(yīng)惡劣的工作環(huán)��
這些特性使CDR33BP302AJZRAT成為各種高要求功率應(yīng)用的理想選擇�
CDR33BP302AJZRAT適用于廣泛的功率�(zhuǎn)換和�(qū)動場�,包括但不限于:
- 開關(guān)電源(SMPS)中的功率級開�(guān)元件�
- DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流或主開關(guān)�
- 電機�(qū)動電路中的功率輸出級�
- 工業(yè)自動化設(shè)備中的負載切��
- 汽車電子系統(tǒng)中的高可靠性功率管理組��
憑借其強大的性能表現(xiàn),這款MOSFET能夠滿足�(xiàn)代高效能電力系統(tǒng)的需��
CDR33BP302BQZRA, IRF3710, FDP150N06L