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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > CDR34BX333BKZPAT

CDR34BX333BKZPAT 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/31 1:49:40 查看 閱讀�16

CDR34BX333BKZPAT 是一款由知名半導(dǎo)體制造商生產(chǎn)的高性能功率 MOSFET 芯片,主要用于開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)� DC-DC �(zhuǎn)換器等應(yīng)�。該器件采用先�(jìn)的制程技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,能夠在高頻工作條件下提供高效的功率�(zhuǎn)換�
  該芯片屬� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET 類型,封裝形式為 TO-263(D2PAK),能夠承受較高的電流和電壓。其�(shè)�(jì)�(yōu)化了熱性能和電氣性能,使其非常適合工�(yè)�(jí)和消�(fèi)�(jí)�(yīng)用中的高效率需求場(chǎng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  最大連續(xù)漏極電流�33A
  �(dǎo)通電阻:2.5mΩ
  柵極電荷�75nC
  總電容:220pF
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝類型:TO-263(D2PAK�

特�

CDR34BX333BKZPAT 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),在典型工作條件下僅為 2.5mΩ,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速開(kāi)�(guān)能力,得益于其較小的柵極電荷和輸出電�,適合高頻應(yīng)��
  3. 高電流承載能�,支持高�(dá) 33A 的連續(xù)漏極電流,滿足大功率�(fù)載需��
  4. 寬工作溫度范�,從 -55� � +175�,確保在極端�(huán)境下的可靠性�
  5. 封裝�(shè)�(jì)�(yōu)化散熱性能,允許更高的功率密度和更小的整體解決方案尺寸�
  6. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,增�(qiáng)器件的抗靜電能力,提升系�(tǒng)�(wěn)定��

�(yīng)�

CDR34BX333BKZPAT 廣泛�(yīng)用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(lǐng)�,包括但不限于:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)設(shè)�(jì),如適配�、充電器和工�(yè)電源�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,用于控制直流無(wú)刷電�(jī)(BLDC)或步�(jìn)電機(jī)�
  3. DC-DC �(zhuǎn)換器,適用于汽車電子、通信�(shè)備和消費(fèi)類電子產(chǎn)��
  4. 太陽(yáng)能逆變器中的功率管理模��
  5. 電動(dòng)工具和其他需要高功率輸出的應(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

CDR34BX333AKZPAT, IRF3205, FDP55N06L

cdr34bx333bkzpat參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR34
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.033 μF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)BX
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特�-
  • 等級(jí)-
  • �(yīng)�高可靠�
  • 故障�P�0.1%�
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1812�4532 公制�
  • 大小 / 尺寸0.177" �(zhǎng) x 0.126" 寬(4.50mm x 3.20mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.059"�1.50mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-