CDR34BX473BKUS7185 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和開(kāi)關(guān)電路等領(lǐng)域。該芯片采用了先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高耐壓特性和快速開(kāi)關(guān)速度等特點(diǎn),能夠有效提升系統(tǒng)的效率與穩(wěn)定性。
其封裝形式緊湊,適合在空間受限的應(yīng)用場(chǎng)景中使用,同時(shí)具備良好的散熱性能,可確保長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行。
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流:30A
導(dǎo)通電阻:4.5mΩ
柵極電荷:35nC
開(kāi)關(guān)速度:超快
工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C
封裝形式:TO-263
CDR34BX473BKUS7185 的主要特性包括以下幾點(diǎn):
1. 極低的導(dǎo)通電阻(4.5mΩ),顯著降低功率損耗。
2. 高額定電流能力(30A),適用于大功率應(yīng)用環(huán)境。
3. 快速開(kāi)關(guān)性能,減少開(kāi)關(guān)損耗并提高系統(tǒng)效率。
4. 良好的熱穩(wěn)定性和可靠性,適應(yīng)極端溫度條件。
5. 緊湊型封裝設(shè)計(jì),節(jié)省PCB布局空間。
6. 內(nèi)置保護(hù)機(jī)制,如過(guò)流保護(hù)和短路保護(hù),增強(qiáng)器件的安全性。
7. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛材料,滿足國(guó)際法規(guī)要求。
CDR34BX473BKUS7185 可應(yīng)用于多種領(lǐng)域,包括但不限于以下方面:
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)設(shè)計(jì)中的主開(kāi)關(guān)元件。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,用于控制直流無(wú)刷電機(jī)或步進(jìn)電機(jī)。
3. 汽車電子系統(tǒng)中的負(fù)載切換與保護(hù)。
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
5. 充電器和適配器中的高效功率管理。
6. LED驅(qū)動(dòng)電路以實(shí)現(xiàn)精確電流控制。
7. 各類需要高效開(kāi)關(guān)和低功耗的場(chǎng)合。
CDR34BX473BKUS7175, IRFZ44N, FDP5500