CDR34BX473BKUS7185 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和開(kāi)�(guān)電路等領(lǐng)�。該芯片采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高耐壓特性和快速開(kāi)�(guān)速度等特�(diǎn),能夠有效提升系�(tǒng)的效率與�(wěn)定��
其封裝形式緊湊,適合在空間受限的�(yīng)用場(chǎng)景中使用,同�(shí)具備良好的散熱性能,可確保�(zhǎng)�(shí)間穩(wěn)定運(yùn)��
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�30A
�(dǎo)通電阻:4.5mΩ
柵極電荷�35nC
�(kāi)�(guān)速度:超�
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-263
CDR34BX473BKUS7185 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(4.5mΩ�,顯著降低功率損耗�
2. 高額定電流能力(30A�,適用于大功率應(yīng)用環(huán)��
3. 快速開(kāi)�(guān)性能,減少開(kāi)�(guān)損耗并提高系統(tǒng)效率�
4. 良好的熱�(wěn)定性和可靠�,適�(yīng)極端溫度條件�
5. 緊湊型封裝設(shè)�(jì),節(jié)省PCB布局空間�
6. �(nèi)置保�(hù)�(jī)�,如�(guò)流保�(hù)和短路保�(hù),增�(qiáng)器件的安全��
7. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛材料,滿足�(guó)際法�(guī)要求�
CDR34BX473BKUS7185 可應(yīng)用于多種�(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)設(shè)�(jì)中的主開(kāi)�(guān)元件�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,用于控制直流無(wú)刷電�(jī)或步�(jìn)電機(jī)�
3. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換與保護(hù)�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模��
5. 充電器和適配器中的高效功率管理�
6. LED�(qū)�(dòng)電路以實(shí)�(xiàn)精確電流控制�
7. 各類需要高效開(kāi)�(guān)和低功耗的�(chǎng)��
CDR34BX473BKUS7175, IRFZ44N, FDP5500