CE6212EETJE 時(shí)間：2025/4/28 19:07:55 閱讀：36

CE6212EETJE 是一款高性能的 N 治道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET），廣泛應(yīng)用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和開關(guān)電源等領(lǐng)域。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝，具備低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能，適合需要高效能和可靠性的應(yīng)用場(chǎng)景。
　　該 MOSFET 的封裝形式為 TO-252(DPAK)，能夠有效提升散熱性能，同時(shí)其緊湊的設(shè)計(jì)也使其非常適合空間受限的應(yīng)用環(huán)境。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　連續(xù)漏極電流：24A
　　導(dǎo)通電阻：2.9mΩ
　　柵極電荷：38nC
　　開關(guān)速度：快速
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 150℃

特性

CE6212EETJE 具備以下顯著特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on))，有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高效率。
　　2. 快速開關(guān)能力，使得該器件適用于高頻開關(guān)應(yīng)用，減少開關(guān)損耗。
　　3. 高脈沖電流承受能力，能夠在短時(shí)間內(nèi)承受更大的電流沖擊。
　　4. 良好的熱穩(wěn)定性，確保在高溫環(huán)境下依然保持穩(wěn)定性能。
　　5. 小巧的 DPAK 封裝，節(jié)省 PCB 空間并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)布局。
　　6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且滿足國(guó)際法規(guī)要求。

應(yīng)用

CE6212EETJE 廣泛應(yīng)用于多種領(lǐng)域，包括但不限于：
　　1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
　　2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率控制元件。
　　3. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的保護(hù)和控制開關(guān)。
　　4. LED 驅(qū)動(dòng)器和負(fù)載切換應(yīng)用。
　　5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率級(jí)控制模塊。
　　6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的充電管理電路。