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CE6212EETJE 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/4/28 19:07:55 查看 閱讀:36

CE6212EETJE 是一款高性能的 N 治道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),廣泛應(yīng)用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和開關(guān)電源等領(lǐng)域。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能,適合需要高效能和可靠性的應(yīng)用場(chǎng)景。
  該 MOSFET 的封裝形式為 TO-252(DPAK),能夠有效提升散熱性能,同時(shí)其緊湊的設(shè)計(jì)也使其非常適合空間受限的應(yīng)用環(huán)境。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流:24A
  導(dǎo)通電阻:2.9mΩ
  柵極電荷:38nC
  開關(guān)速度:快速
  工作溫度范圍:-55℃ 至 150℃

特性

CE6212EETJE 具備以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高效率。
  2. 快速開關(guān)能力,使得該器件適用于高頻開關(guān)應(yīng)用,減少開關(guān)損耗。
  3. 高脈沖電流承受能力,能夠在短時(shí)間內(nèi)承受更大的電流沖擊。
  4. 良好的熱穩(wěn)定性,確保在高溫環(huán)境下依然保持穩(wěn)定性能。
  5. 小巧的 DPAK 封裝,節(jié)省 PCB 空間并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)布局。
  6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足國(guó)際法規(guī)要求。

應(yīng)用

CE6212EETJE 廣泛應(yīng)用于多種領(lǐng)域,包括但不限于:
  1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
  2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率控制元件。
  3. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的保護(hù)和控制開關(guān)。
  4. LED 驅(qū)動(dòng)器和負(fù)載切換應(yīng)用。
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率級(jí)控制模塊。
  6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的充電管理電路。

替代型號(hào)

IRLZ44N, AO3400A

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