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CEP02N6G 發(fā)布時間 時間�2025/5/22 20:27:13 查看 閱讀�20

CEP02N6G 是一� N 灃道� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),采� TO-252 封裝。這款器件廣泛應用于功率轉(zhuǎn)�、電機驅(qū)動和負載開關等場景中,其主要功能是作為高效的電子開關或放大器來使��
  該型號的 MOSFET 具有低導通電阻和高電流處理能力的特點,能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�2A
  導通電阻:0.17歐姆
  柵極電荷�9nC
  總電容:420pF
  工作溫度范圍�-55� � +150�

特�

CEP02N6G 的主要特性包括:
  1. 低導通電�,有助于減少導通狀�(tài)下的功率損�,提高整體能��
  2. 快速開關速度,使其非常適合高頻應用環(huán)��
  3. 高雪崩能量能力,增強了器件在異常條件下的魯棒��
  4. 符合 RoHS 標準,滿足環(huán)保要��
  5. 可靠性高,在各種惡劣�(huán)境下依然保持�(wěn)定性能�

應用

CEP02N6G 常用于以下領域:
  1. 開關電源中的功率�(zhuǎn)換電��
  2. 電池管理系統(tǒng)的保護電路�
  3. 各類電機�(qū)動控制電��
  4. 負載開關及固�(tài)繼電��
  5. 工業(yè)自動化設備中的功率級控制部分�

替代型號

IRFZ44N
  FDP5800
  BST088

cep02n6g推薦供應� 更多>

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