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CESD1006NC18VB 發(fā)布時間 時間�2025/5/20 13:45:31 查看 閱讀�22

CESD1006NC18VB 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高效率、高頻開�(guān)晶體�,適用于要求高性能和小尺寸的應(yīng)用場景。該器件采用了先�(jìn)的橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)� (LDMOS) 工藝,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特點�
  其設(shè)計主要用于消費類電子、工�(yè)電源管理以及通信�(shè)備中的高頻功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用,能夠顯著提高系統(tǒng)效率并減少熱損��

參數(shù)

型號:CESD1006NC18VB
  類型:增強型 GaN HEMT
  最大漏源電壓:650 V
  連續(xù)漏極電流�12 A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�18 mΩ
  柵極電荷(Qg):45 nC
  開關(guān)頻率范圍:高�(dá) 5 MHz
  封裝形式:TO-252 (DPAK)
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C

特�

CESD1006NC18VB 的主要特性包括以下幾點:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可以有效降低傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)能力,支持高�(dá) 5 MHz 的開�(guān)頻率,非常適合高頻應(yīng)��
  3. 高耐壓能力�650V�,確保在寬輸入電壓范圍內(nèi)的穩(wěn)定運行�
  4. 小尺寸封�,便� PCB 布局�(shè)計,節(jié)省空��
  5. �(nèi)置反向恢�(fù)性能�(yōu)化的體二極管,�(jìn)一步減少開�(guān)損耗�
  6. 高可靠性和耐用�,經(jīng)過嚴(yán)格測試以滿足各種工業(yè)�(huán)境的需��
  7. 支持多種保護(hù)功能,例如過流保�(hù)和短路保�(hù),增強了整體系統(tǒng)的安全��

�(yīng)�

CESD1006NC18VB 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS),如 AC/DC � DC/DC �(zhuǎn)換器�
  2. 充電器和適配器,特別是快充技�(shù)中需要高效能的場��
  3. 電機(jī)�(qū)動器,用于工�(yè)自動化和家用電器控制�
  4. LED 照明�(qū)動器,提供更高效率和更長使用壽命�
  5. 電信基礎(chǔ)�(shè)�,例如基站電源和�(shù)�(jù)通信�(shè)備�
  6. 太陽能逆變�,助力可再生能源�(lǐng)域的能量�(zhuǎn)換與利用�
  7. 汽車電子,涉及車載充電器� DC/DC �(zhuǎn)換等�(yīng)��

替代型號

CESD1006DC18VB, CESD1006PC18VB

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