CGA2B2C0G1H221JT0Y0F 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應用于開關電源、電機驅動和 DC-DC 轉換器等場景。該器件采用先進的制造工�,具有低導通電阻、高開關速度和優(yōu)異的熱性能,能夠顯著提升系�(tǒng)的效率和可靠��
其封裝形式為 TO-263,適合表面貼裝技術(SMT�,便于大�(guī)模自動化生產。此�,該芯片還具備良好的短路耐受能力和靜電防護特�,確保在復雜�(huán)境下的穩(wěn)定運行�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�45A
導通電阻:1.2mΩ
柵極電荷�75nC
開關速度�25ns
工作溫度范圍�-55� � 175�
封裝形式:TO-263
CGA2B2C0G1H221JT0Y0F 的主要特性包括以下幾點:
1. 極低的導通電阻(1.2mΩ�,可以有效降低功率損耗,提高系統(tǒng)效率�
2. 快速的開關速度�25ns�,適用于高頻應用場合,減少開關損��
3. 高額定電流能力(45A�,滿足大功率負載需��
4. 先進的熱設�,具備出色的散熱性能,延長器件使用壽��
5. 內置保護功能,如過流保護和短路保�,增強系�(tǒng)安全��
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且可靠�
這款功率 MOSFET 主要應用于以下幾個領域:
1. 開關電源(SMPS)中的主開關管或同步整流��
2. 電動工具和家用電器中的電機驅動電��
3. 汽車電子系統(tǒng),例如電動助力轉向(EPS)和剎車系統(tǒng)�
4. 工業(yè)自動化設備中的功率轉換模��
5. 太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)中的功率管理單元�
6. 各類 DC-DC 轉換�,用于電壓調節(jié)和電流控制�
IRFZ44N
FDP18N06L
STP45NF06L