型號(hào)：CGA3E2C0G1H221J080AD
　　類(lèi)型：N-Channel MOSFET
　　最大漏源電壓(Vdss)：60V
　　最大柵源電壓(Vgs)：±20V
　　連續(xù)漏極電流(Id)：50A
　　導(dǎo)通電阻(Rds(on))：1.5mΩ（典型值，@Vgs=10V）
　　總功耗(Ptot)：170W
　　結(jié)溫范圍(Tj)：-55℃ 至 +175℃
　　封裝形式：TO-263(D2PAK)

CGA3E2C0G1H221J080AD 的主要特性包括：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) 使得其在高電流應(yīng)用中具有較高的效率。
　　2. 高速開(kāi)關(guān)能力，能夠有效降低開(kāi)關(guān)損耗。
　　3. 具備出色的熱穩(wěn)定性，即使在極端溫度條件下也能保持穩(wěn)定的性能。
　　4. 內(nèi)置防靜電保護(hù)電路，提高了器件的可靠性和耐用性。
　　5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且適用于多種國(guó)際規(guī)范要求。
　　6. 表面貼裝封裝設(shè)計(jì)使其非常適合現(xiàn)代自動(dòng)化生產(chǎn)流程，同時(shí)節(jié)省了印刷電路板的空間。

這款功率 MOSFET 主要用于以下應(yīng)用場(chǎng)景：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源中的功率轉(zhuǎn)換和穩(wěn)壓模塊。
　　2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的橋式電路和逆變器設(shè)計(jì)。
　　3. 各類(lèi) DC-DC 轉(zhuǎn)換器，例如降壓或升壓轉(zhuǎn)換器。
　　4. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的負(fù)載切換和電池管理。
　　5. 工業(yè)控制設(shè)備中的繼電器替代和高效功率傳輸。
　　6. 消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品中的充電電路和保護(hù)電路設(shè)計(jì)。

CGA3E2C0G1H221J080AE, IRF540N, FDP55N06L