CGA5C2C0G1H223J060AD是一款由ON Semiconductor(安森美)生�(chǎn)的高壓MOSFET芯片,主要用于功率轉(zhuǎn)換和電機�(qū)動等�(yīng)用領(lǐng)�。該器件采用先進的溝槽式MOSFET技�(shù),具有較低的�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度,能夠在高頻工作條件下保持高效性能。其封裝形式為TO-247,適合于高功率密度設(shè)��
這款MOSFET適用于工�(yè)、汽車及消費類電子設(shè)備中的多種場�,例如電源適配器、DC-DC�(zhuǎn)換器、太陽能逆變器以及電機控制器��
型號:CGA5C2C0G1H223J060AD
類型:N-Channel MOSFET
VDS(漏源極電壓):800V
RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�0.12Ω(典型�,在特定條件下)
ID(連續(xù)漏極電流):16A
Qg(柵極電荷)�35nC
EAS(雪崩能量)�1.3J
封裝:TO-247
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
CGA5C2C0G1H223J060AD具備以下主要特性:
1. 高擊穿電壓(800V�,確保在高電壓環(huán)境下�(wěn)定運行�
2. 極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on)�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提升效率�
3. 快速開�(guān)能力,支持高頻操作以適應(yīng)�(xiàn)代電源系�(tǒng)的高性能需��
4. 良好的熱�(wěn)定�,可承受極端溫度條件下的長期工作�
5. 強大的雪崩能量能�,提高系�(tǒng)在異常情況下的可靠性�
6. 符合RoHS標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
這些特性使其成為高壓功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�
該MOSFET廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 太陽能光伏逆變�
4. 工業(yè)電機�(qū)�
5. 電動汽車充電�
6. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
7. 不間斷電源(UPS�
由于其高耐壓特性和高效的功率處理能�,CGA5C2C0G1H223J060AD特別適合需要高可靠性和高效率的電力電子�(yīng)用�
CGA5C2C0G1H223K060AD, IRFP460, STW83N80