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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > CGA5C2C0G1H223J060AD

CGA5C2C0G1H223J060AD 發(fā)布時間 時間�2025/6/10 13:25:41 查看 閱讀�5

CGA5C2C0G1H223J060AD是一款由ON Semiconductor(安森美)生�(chǎn)的高壓MOSFET芯片,主要用于功率轉(zhuǎn)換和電機�(qū)動等�(yīng)用領(lǐng)�。該器件采用先進的溝槽式MOSFET技�(shù),具有較低的�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度,能夠在高頻工作條件下保持高效性能。其封裝形式為TO-247,適合于高功率密度設(shè)��
  這款MOSFET適用于工�(yè)、汽車及消費類電子設(shè)備中的多種場�,例如電源適配器、DC-DC�(zhuǎn)換器、太陽能逆變器以及電機控制器��

參數(shù)

型號:CGA5C2C0G1H223J060AD
  類型:N-Channel MOSFET
  VDS(漏源極電壓):800V
  RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�0.12Ω(典型�,在特定條件下)
  ID(連續(xù)漏極電流):16A
  Qg(柵極電荷)�35nC
  EAS(雪崩能量)�1.3J
  封裝:TO-247
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

CGA5C2C0G1H223J060AD具備以下主要特性:
  1. 高擊穿電壓(800V�,確保在高電壓環(huán)境下�(wěn)定運行�
  2. 極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on)�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提升效率�
  3. 快速開�(guān)能力,支持高頻操作以適應(yīng)�(xiàn)代電源系�(tǒng)的高性能需��
  4. 良好的熱�(wěn)定�,可承受極端溫度條件下的長期工作�
  5. 強大的雪崩能量能�,提高系�(tǒng)在異常情況下的可靠性�
  6. 符合RoHS標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
  這些特性使其成為高壓功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

該MOSFET廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. 太陽能光伏逆變�
  4. 工業(yè)電機�(qū)�
  5. 電動汽車充電�
  6. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
  7. 不間斷電源(UPS�
  由于其高耐壓特性和高效的功率處理能�,CGA5C2C0G1H223J060AD特別適合需要高可靠性和高效率的電力電子�(yīng)用�

替代型號

CGA5C2C0G1H223K060AD, IRFP460, STW83N80

cga5c2c0g1h223j060ad推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

cga5c2c0g1h223j060ad參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • 價格4,000 : �1.43993卷帶(TR�
  • 系列CGA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.022 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特��(huán)氧樹脂封�
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC,環(huán)�
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.030"�0.75mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-