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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > CGA5H4NP02J682JT0Y0N

CGA5H4NP02J682JT0Y0N 發(fā)布時間 時間�2025/6/10 13:29:50 查看 閱讀�3

CGA5H4NP02J682JT0Y0N 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,專為高效率開關應用設計。該器件采用先進的半導體制造工藝,具有低導通電�、快速開關特性和高耐壓能力,廣泛應用于電源管理、電機驅動和功率轉換等領��
  該型號屬� N 沠道增強� MOSFET,其出色的電氣性能使其成為多種電力電子應用的理想選��

參數

最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流�12A
  導通電阻:0.18Ω
  柵極電荷�35nC
  總開關能量:150mJ
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

CGA5H4NP02J682JT0Y0N 的主要特性包括:
  1. 極低的導通電阻,在高電流條件下可顯著降低功��
  2. 快速開關速度,有助于提高系統(tǒng)效率并減少電磁干� (EMI)�
  3. 高擊穿電�,確保在高壓�(huán)境下�(wěn)定運行�
  4. 緊湊的封裝設�,適合空間受限的應用場景�
  5. 支持寬溫度范圍操�,適用于工業(yè)和汽車環(huán)��
  6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且可靠�

應用

這款 MOSFET 主要應用于以下領域:
  1. 開關電源 (SMPS) � DC-DC 轉換器�
  2. 電機驅動和逆變器控��
  3. 電池管理系統(tǒng) (BMS)�
  4. 工業(yè)自動化設備中的功率控��
  5. 汽車電子系統(tǒng),例如電動助力轉向和制動系統(tǒng)�
  6. 太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)中的功率調節(jié)模塊�

替代型號

CGA5H4NP02K682JT0Y0N, CGA5H4NP02J682JT1Y0N

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