CGA5H4NP02J682JT0Y0N 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,專為高效率開關應用設計。該器件采用先進的半導體制造工藝,具有低導通電�、快速開關特性和高耐壓能力,廣泛應用于電源管理、電機驅動和功率轉換等領��
該型號屬� N 沠道增強� MOSFET,其出色的電氣性能使其成為多種電力電子應用的理想選��
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�12A
導通電阻:0.18Ω
柵極電荷�35nC
總開關能量:150mJ
工作溫度范圍�-55� � +175�
CGA5H4NP02J682JT0Y0N 的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻,在高電流條件下可顯著降低功��
2. 快速開關速度,有助于提高系統(tǒng)效率并減少電磁干� (EMI)�
3. 高擊穿電�,確保在高壓�(huán)境下�(wěn)定運行�
4. 緊湊的封裝設�,適合空間受限的應用場景�
5. 支持寬溫度范圍操�,適用于工業(yè)和汽車環(huán)��
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且可靠�
這款 MOSFET 主要應用于以下領域:
1. 開關電源 (SMPS) � DC-DC 轉換器�
2. 電機驅動和逆變器控��
3. 電池管理系統(tǒng) (BMS)�
4. 工業(yè)自動化設備中的功率控��
5. 汽車電子系統(tǒng),例如電動助力轉向和制動系統(tǒng)�
6. 太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)中的功率調節(jié)模塊�
CGA5H4NP02K682JT0Y0N, CGA5H4NP02J682JT1Y0N