CGGBP.35.2.A.08 是一款高性能的射頻功率晶體管,主要用于無線通信領域的發(fā)射機中。該器件采用先進的半導體工藝制造,能夠在高頻條件下提供高增益和高效率。其設計適用于多種射頻應用,包括基站、無線電設備以及其他需要高功率輸出的場景。
該型號晶體管具備良好的線性度和穩(wěn)定性,確保在各種工作環(huán)境下均能保持優(yōu)異性能。
型號:CGGBP.35.2.A.08
頻率范圍:30 MHz - 1 GHz
功率增益:12 dB
最大輸出功率:50 W
飽和效率:60 %
輸入匹配阻抗:50 Ω
輸出匹配阻抗:50 Ω
工作電壓:28 V
工作電流:典型值 5 A
封裝形式:陶瓷氣密封裝
工作溫度范圍:-40°C 至 +85°C
CGGBP.35.2.A.08 晶體管具有以下顯著特性:
1. 高頻性能:能夠在高達 1 GHz 的頻率范圍內提供穩(wěn)定的功率輸出。
2. 高效率:飽和效率達到 60%,有效降低能耗。
3. 良好的線性度:適合對信號失真要求較高的應用場景。
4. 穩(wěn)定性強:即使在極端溫度條件下也能保持穩(wěn)定的工作狀態(tài)。
5. 易于集成:50 Ω 的輸入和輸出阻抗簡化了與外部電路的匹配設計。
6. 高可靠性:采用陶瓷氣密封裝,延長使用壽命。
CGGBP.35.2.A.08 廣泛應用于以下領域:
1. 基站發(fā)射機:為蜂窩網(wǎng)絡提供高功率射頻信號。
2. 工業(yè)、科學和醫(yī)療(ISM)設備:如無線能量傳輸系統(tǒng)。
3. 無線電通信:包括雙向無線電、海事通信等。
4. 測試與測量設備:用于產(chǎn)生高功率射頻信號以測試其他設備。
5. 軍用通信:滿足國防領域對高性能射頻器件的需求。
CGGBP.35.2.B.08
CGGBP.35.2.C.08