CGJ5H4X7T2H333K115AA 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于開關電源、電機驅動和 DC-DC 轉換等高效率應用場景。該芯片采用先進的制造工藝,具有低導通電阻、高開關速度以及優(yōu)異的熱性能,適合在高電流、高頻條件下工作。
該型號屬于增強型 N 溝道 MOSFET 類別,能夠有效降低傳導損耗并提高整體系統(tǒng)的效率。其封裝形式通常為行業(yè)標準,便于安裝與散熱管理。
最大漏源電壓:60V
持續(xù)漏極電流:40A
導通電阻:2.5mΩ
柵極電荷:75nC
開關頻率:高達 1MHz
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
CGJ5H4X7T2H333K115AA 的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)),有助于減少功率損耗,提升系統(tǒng)效率。
2. 高速開關能力,可支持高達 1MHz 的開關頻率,非常適合高頻應用。
3. 優(yōu)化的柵極電荷設計,確保了高效的驅動和更低的能量消耗。
4. 出色的熱穩(wěn)定性,能夠在極端溫度條件下保持穩(wěn)定性能。
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且可靠。
6. 小型化封裝設計,節(jié)省 PCB 空間的同時提供強大的性能輸出。
該芯片廣泛應用于以下領域:
1. 開關模式電源(SMPS)
2. 同步整流電路
3. 電機控制與驅動
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)
5. DC-DC 轉換器
6. 工業(yè)自動化設備中的功率調節(jié)模塊
由于其出色的電氣特性和可靠性,這款芯片成為許多高效能功率轉換解決方案的理想選擇。
CGJ5H4X7T2H333K115AB, IRFZ44N, FDP55N06L