時間：2025/5/28 16:27:03
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CKC18X223GWGAC7800 是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于電源管理、電機驅(qū)動和開關(guān)應(yīng)用等領(lǐng)域。該芯片具有低導(dǎo)通電阻、高耐壓能力和快速開關(guān)速度等特點，能夠顯著提高電路效率并減少能量損耗。
這款MOSFET采用了先進的制造工藝，優(yōu)化了溝道結(jié)構(gòu)和封裝設(shè)計，以確保在高壓和大電流環(huán)境下的穩(wěn)定運行。其出色的熱性能和可靠性使其成為工業(yè)級和消費級電子設(shè)備的理想選擇。
類型：N溝道增強型 MOSFET
最大漏源電壓(Vds)：650V
最大柵源電壓(Vgs)：±20V
最大漏極電流(Id)：14A
導(dǎo)通電阻(Rds(on))：0.15Ω（在Vgs=10V時）
總功耗(Ptot)：160W
結(jié)溫范圍(Tj)：-55℃至+150℃
封裝形式：TO-220
CKC18X223GWGAC7800 具備以下關(guān)鍵特性：
1. 高擊穿電壓，可承受高達650V的工作電壓，適用于多種高壓應(yīng)用場景。
2. 極低的導(dǎo)通電阻，在額定條件下僅為0.15Ω，有效降低導(dǎo)通損耗。
3. 快速開關(guān)能力，具備較低的輸入和輸出電容，支持高頻工作環(huán)境。
4. 強大的過流保護機制，增強了器件在異常情況下的生存能力。
5. 采用TO-220標(biāo)準封裝，易于集成到各種PCB設(shè)計中，同時提供良好的散熱性能。
6. 工作溫度范圍寬廣，從-55℃到+150℃，適應(yīng)極端氣候條件下的應(yīng)用需求。
該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源(SMPS) 和直流-直流轉(zhuǎn)換器中的主開關(guān)元件。
2. 電動工具、家用電器和工業(yè)設(shè)備中的電機驅(qū)動電路。
3. 太陽能逆變器和不間斷電源(UPS) 系統(tǒng)的關(guān)鍵功率轉(zhuǎn)換組件。
4. 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換和電池管理模塊。
5. 各類保護電路，如過流保護、短路保護等。
CKC18X225GWGAC7800, IRF640, FQP14N65
