CKC18X912FWGAC7210 是一款高性能、低功耗的 CMOS 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝,具備高速讀寫能力,廣泛應(yīng)用于需要快速數(shù)據(jù)訪問和高可靠性的電子設(shè)備中。
該 SRAM 芯片具有大容量存儲(chǔ)功能,同時(shí)支持多種工作模式,可滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。其低功耗特性和寬電壓范圍使得它在便攜式設(shè)備、工業(yè)控制、通信設(shè)備以及消費(fèi)類電子產(chǎn)品中表現(xiàn)出色。
存儲(chǔ)容量:18Mb
數(shù)據(jù)寬度:x9
核心電壓:1.7V 至 1.9V
I/O 電壓:1.7V 至 1.9V
工作溫度范圍:-40°C 至 +85°C
封裝形式:WBGAC(晶圓級(jí)球柵陣列封裝)
引腳數(shù)量:72
訪問時(shí)間:最高可達(dá) 10ns
待機(jī)功耗:典型值 1μW
CKC18X912FWGAC7210 的主要特性包括:
1. 高密度存儲(chǔ):提供高達(dá) 18Mb 的存儲(chǔ)容量,適合需要大容量數(shù)據(jù)緩存的應(yīng)用。
2. 快速訪問速度:支持低至 10ns 的訪問時(shí)間,確保高效的系統(tǒng)性能。
3. 低功耗設(shè)計(jì):通過動(dòng)態(tài)電源管理技術(shù),在活動(dòng)模式和待機(jī)模式下均能實(shí)現(xiàn)超低功耗。
4. 寬電壓范圍:支持 1.7V 至 1.9V 的核心和 I/O 電壓,適應(yīng)多種電源環(huán)境。
5. 可靠性高:具備強(qiáng)大的抗干擾能力和長(zhǎng)時(shí)間數(shù)據(jù)保存能力。
6. 多種工作模式:支持正常模式、省電模式和深度掉電模式,可根據(jù)實(shí)際需求優(yōu)化性能與功耗。
CKC18X912FWGAC7210 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 工業(yè)自動(dòng)化:用作 PLC 和工業(yè)控制器中的高速緩存。
2. 網(wǎng)絡(luò)通信:適用于路由器、交換機(jī)和其他網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的數(shù)據(jù)緩沖。
3. 消費(fèi)電子:用于數(shù)字電視、游戲機(jī)等需要快速數(shù)據(jù)處理的場(chǎng)景。
4. 嵌入式系統(tǒng):為嵌入式微處理器提供臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
5. 醫(yī)療設(shè)備:支持醫(yī)療成像和診斷設(shè)備中的高速數(shù)據(jù)傳輸。
6. 軍事與航空航天:因其高可靠性,適用于苛刻環(huán)境下的任務(wù)關(guān)鍵型應(yīng)用。
CKC18X912BWCAC7210
IS61WV10248BLL-10TI
CY62185EV30BLL-70SC