CKC21C333FWGAC7800是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先進的半導體制造工�。該芯片主要應用于高頻開關電�、DC-DC轉換�、電機驅動等領域,具有低導通電阻和高開關速度的特點,能夠顯著提升系統(tǒng)的效率和性能�
這款器件通過�(yōu)化設計實�(xiàn)了較低的柵極電荷和輸出電�,從而降低了開關損耗,并提高了整體的工作頻率范��
型號:CKC21C333FWGAC7800
類型:N-Channel MOSFET
工作電壓(Vdss):650V
持續(xù)漏極電流(Id):33A
導通電阻(Rds(on)):0.04Ω
柵極電荷(Qg):95nC
功耗:250W
封裝形式:TO-247
CKC21C333FWGAC7800采用了增強型硅基技�,具備以下優(yōu)勢:
1. 極低的導通電阻使得在大電流應用中�(fā)熱減�,提高了能效�
2. 高速開關能力使其適用于高頻逆變器和PWM控制��
3. 內置ESD保護電路增強了器件的可靠�,減少了外部保護元件的需��
4. 熱穩(wěn)定性良�,在極端溫度條件下仍能保持穩(wěn)定的性能�
5. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛設��
該芯片廣泛用于多種電力電子設備中,包括但不限于以下領域:
1. 開關模式電源(SMPS�
2. 工業(yè)電機驅動
3. 太陽能逆變�
4. 電動汽車牽引逆變�
5. 高頻DC-DC轉換�
6. 不間斷電源(UPS)系�(tǒng)
其高效率和耐高壓的特點,使其成為這些領域中的理想選擇�
CKC21C333FWGA, IRFP460, STP30NF55