CM21X6S106K16AT 是一款靜�(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM�,主要用于需要高速數(shù)�(jù)讀寫的�(yīng)用場�。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有低功耗和高穩(wěn)定性的特點(diǎn),適用于工業(yè)、通信和消�(fèi)類電子產(chǎn)品中的緩存和臨時(shí)�(shù)�(jù)存儲�
該型號屬� Cypress Semiconductor � SRAM �(chǎn)品系�,支持同步突�(fā)模式操作,能夠顯著提升數(shù)�(jù)傳輸效率。其封裝形式� TSOP-II,適合高密度電路板設(shè)�(jì)�
容量�1048576 x 16 bits
工作電壓�3.3V ± 0.3V
訪問�(shí)間:10ns
�(shù)�(jù)寬度�16�
封裝形式:TSOP-II(44)
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
引腳間距�0.5mm
最大功耗:300mW
CM21X6S106K16AT 提供了多種關(guān)鍵特性和功能以滿足高性能�(yīng)用需求:
1. 支持同步突發(fā)模式,可�(shí)�(xiàn)連續(xù)快速的�(shù)�(jù)讀寫操��
2. �(nèi)置自動刷新功能,確保�(shù)�(jù)在斷電前的完整��
3. 高速訪問時(shí)間(10ns)使其成為對延遲敏感�(yīng)用的理想選擇�
4. 低功耗設(shè)�(jì)減少了系�(tǒng)的整體能耗,特別適合便攜式設(shè)��
5. 寬工作溫度范圍(-40°C � +85°C)保證了其在極端�(huán)境下的可靠性�
6. 具有硬件和軟件兩種寫保護(hù)�(jī)�,增�(qiáng)了數(shù)�(jù)的安全性�
該芯片廣泛應(yīng)用于需要高速數(shù)�(jù)處理和臨�(shí)存儲的場�,包括但不限于:
1. �(wǎng)�(luò)路由器和交換�(jī)中的�(shù)�(jù)包緩存�
2. 工業(yè)自動化控制系�(tǒng)中的臨時(shí)�(shù)�(jù)緩沖�
3. �(yī)療成像設(shè)備中圖像�(shù)�(jù)的暫存�
4. 游戲�(jī)和其他消�(fèi)類電子產(chǎn)品的圖形渲染緩存�
5. 嵌入式系�(tǒng)中的程序�(yùn)行緩存�
由于其高可靠性和低延遲特性,CM21X6S106K16AT 成為了許多高性能�(jì)算平臺的核心組件�
CY7C1061DV33, IS61LV25616LLB, AS6C1024