CM21X6S106K16AT 是一款靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM),主要用于需要高速數(shù)據(jù)讀寫的應(yīng)用場景。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝,具有低功耗和高穩(wěn)定性的特點(diǎn),適用于工業(yè)、通信和消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的緩存和臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲。
該型號屬于 Cypress Semiconductor 的 SRAM 產(chǎn)品系列,支持同步突發(fā)模式操作,能夠顯著提升數(shù)據(jù)傳輸效率。其封裝形式為 TSOP-II,適合高密度電路板設(shè)計(jì)。
容量:1048576 x 16 bits
工作電壓:3.3V ± 0.3V
訪問時(shí)間:10ns
數(shù)據(jù)寬度:16位
封裝形式:TSOP-II(44)
工作溫度范圍:-40°C 至 +85°C
引腳間距:0.5mm
最大功耗:300mW
CM21X6S106K16AT 提供了多種關(guān)鍵特性和功能以滿足高性能應(yīng)用需求:
1. 支持同步突發(fā)模式,可實(shí)現(xiàn)連續(xù)快速的數(shù)據(jù)讀寫操作。
2. 內(nèi)置自動刷新功能,確保數(shù)據(jù)在斷電前的完整性。
3. 高速訪問時(shí)間(10ns)使其成為對延遲敏感應(yīng)用的理想選擇。
4. 低功耗設(shè)計(jì)減少了系統(tǒng)的整體能耗,特別適合便攜式設(shè)備。
5. 寬工作溫度范圍(-40°C 至 +85°C)保證了其在極端環(huán)境下的可靠性。
6. 具有硬件和軟件兩種寫保護(hù)機(jī)制,增強(qiáng)了數(shù)據(jù)的安全性。
該芯片廣泛應(yīng)用于需要高速數(shù)據(jù)處理和臨時(shí)存儲的場景,包括但不限于:
1. 網(wǎng)絡(luò)路由器和交換機(jī)中的數(shù)據(jù)包緩存。
2. 工業(yè)自動化控制系統(tǒng)中的臨時(shí)數(shù)據(jù)緩沖。
3. 醫(yī)療成像設(shè)備中圖像數(shù)據(jù)的暫存。
4. 游戲機(jī)和其他消費(fèi)類電子產(chǎn)品的圖形渲染緩存。
5. 嵌入式系統(tǒng)中的程序運(yùn)行緩存。
由于其高可靠性和低延遲特性,CM21X6S106K16AT 成為了許多高性能計(jì)算平臺的核心組件。
CY7C1061DV33, IS61LV25616LLB, AS6C1024