CMD11504R/G 是一款高性能、寬帶寬的砷化鎵 (GaAs) � MMIC 功率放大器芯�,專為高頻率射頻�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)� GaAs 工藝制�,具有高增益、高線性度和低噪聲的特�(diǎn)。CMD11504R/G 通常�(yīng)用于通信系統(tǒng)、雷�(dá)系統(tǒng)以及�(cè)試設(shè)備中,能夠滿足多種復(fù)雜環(huán)境下的射頻信�(hào)處理需求�
該芯片的工作頻率范圍非常�,適用于 X 波段� Ku 波段的高頻應(yīng)�。由于其出色的性能和穩(wěn)定�,CMD11504R/G 成為許多高要求射頻系�(tǒng)的理想選擇�
工作頻率范圍�8 GHz � 12 GHz
輸出功率(Psat):20 dBm
增益�15 dB
輸入回波損耗:大于 12 dB
輸出回波損耗:大于 10 dB
電源電壓�+6 V
靜態(tài)電流�200 mA
封裝形式:裸芯片
CMD11504R/G 的主要特性包括:
1. 寬帶寬支�,能夠覆蓋從 8 GHz � 12 GHz 的頻率范圍,適合多種射頻�(yīng)��
2. 高輸出功�,飽和輸出功率達(dá)� 20 dBm,確保強(qiáng)大的信號(hào)傳輸能力�
3. 高增�,典型增益為 15 dB,減少對(duì)額外放大�(jí)的需求�
4. 良好的線性度和效率表�(xiàn),保證在高動(dòng)�(tài)范圍�(nèi)的穩(wěn)定運(yùn)��
5. 輸入和輸出端口均具備良好的回波損耗性能,提高系�(tǒng)匹配能力�
6. 裸芯片封裝形�,便于集成到各種微波模塊�,節(jié)省空間并降低整體重量�
7. �(wěn)定性和可靠性高,能夠在惡劣�(huán)境下�(zhǎng)期使��
CMD11504R/G 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 通信系統(tǒng)中的射頻信號(hào)放大,例如衛(wèi)星通信、點(diǎn)�(duì)�(diǎn)�(wú)線電��
2. 雷達(dá)系統(tǒng)中的�(fā)射機(jī)功率放大,包括氣象雷�(dá)、軍事雷�(dá)��
3. �(cè)試與�(cè)量設(shè)備中的信�(hào)源放�,用于生成高功率射頻信號(hào)�
4. 其他需要高性能射頻放大的應(yīng)用場(chǎng)�,如電子�(zhàn)系統(tǒng)和射頻識(shí)別系�(tǒng)�
CMD11404R/G, CMD11604R/G