CRJQ30N60G2F是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),適用于高電壓和高功率應(yīng)�。該器件采用先�(jìn)的工藝技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能,適合要求高效能和可靠性的電路�(shè)�(jì)。其額定電壓�600V,能夠承受較高的漏源電壓,并且具備出色的電流處理能力�
最大漏源電�(Vds)�600V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�30A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�150mΩ(典型�,在Vgs=10V時)
總功�(Ptot)�348W
�(jié)溫范�(Tj)�-55°C�+175°C
封裝類型:TO-247
CRJQ30N60G2F擁有較低的導(dǎo)通電阻,從而減少傳�(dǎo)損耗并提高效率。同時,它支持快速開�(guān)操作,可以有效降低開�(guān)損耗�
該器件具備強(qiáng)大的雪崩能力和魯棒�,確保在異常條件下仍能正常工��
此外,其�(yōu)化的熱阻�(shè)�(jì)有助于提升散熱性能,延長使用壽��
這款MOSFET還兼容標(biāo)�(zhǔn)�(qū)動電�,便于集成到各種電力電子系統(tǒng)��
該型號廣泛應(yīng)用于工業(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品領(lǐng)域,例如開關(guān)電源(SMPS)、直流電�(jī)�(qū)�、不間斷電源(UPS)、逆變器、電池保�(hù)電路以及電磁閥控制等場景。其高電壓耐受能力和大電流承載能力使其特別適合需要高可靠性及高性能表現(xiàn)的應(yīng)用場��
CRJQ30N60G2E, CRJQ30N60G3F