CRJQ80N65F是一款高壓MOSFET(金�-氧化�-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),屬于N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。該器件通常用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高電壓和高效能的電路中。它具有低導(dǎo)通電�、高擊穿電壓以及快速開(kāi)�(guān)速度等特�,能夠顯著提升系�(tǒng)的效率和可靠性�
CRJQ80N65F的設(shè)�(jì)旨在滿足�(xiàn)代電力電子應(yīng)用對(duì)更高效率和更小尺寸的需�。其封裝形式為T(mén)O-247,適合散熱需求較高的�(chǎng)�。由于其出色的電氣性能和可靠性,這款MOSFET被廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽�(chē)及消�(fèi)類電子產(chǎn)品領(lǐng)��
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�80A
�(dǎo)通電阻:0.035Ω
柵極電荷�110nC
�(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=75ns, toff=95ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
CRJQ80N65F的主要特性包括:
1. 高擊穿電壓(650V),使其適用于高壓環(huán)境下的應(yīng)��
2. 極低的導(dǎo)通電阻(0.035Ω�,有助于減少�(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率�
3. 快速開(kāi)�(guān)速度,使得在高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)��
4. 較低的柵極電�,可以降低驅(qū)�(dòng)功��
5. 寬溫度范圍支持,能夠在極端環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
6. 具備較強(qiáng)的雪崩能力,提升了器件在異常情況下的可靠��
7. TO-247封裝�(shè)�(jì),確保良好的散熱性能�
CRJQ80N65F適用于以下應(yīng)用場(chǎng)景:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主�(kāi)�(guān)管�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流管或主開(kāi)�(guān)��
3. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器中的功率開(kāi)�(guān)�
4. 電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力汽�(chē)中的�(chē)載充電器和牽引逆變��
5. 太陽(yáng)能微逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(shè)備�
6. 高壓�(fù)載切換和保護(hù)電路�
7. 高效LED�(qū)�(dòng)器中的功率級(jí)控制元件�
CRJQ80N65G, IRFP260N, STP80NF65