CRJT190N65GCF是一款高性能的MOSFET功率晶體管,采用先進(jìn)的制造工藝設(shè)計(jì),具備低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn)。該器件適用于需要高效能量轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場(chǎng)景,如開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器等。它屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,耐壓高達(dá)650V,能夠滿(mǎn)足多種高壓電路的需求。
該型號(hào)中的“CRJT”代表了系列名稱(chēng),“190”表示最大導(dǎo)通電阻值(在特定條件下的典型值),“N65”表明其為N溝道且額定電壓為650V,“GCF”則與封裝類(lèi)型和內(nèi)部結(jié)構(gòu)相關(guān)。
最大漏源電壓:650V
最大連續(xù)漏極電流:28A
最大柵源電壓:±20V
導(dǎo)通電阻(典型值,Vgs=10V):190mΩ
總柵極電荷:75nC
輸入電容:1200pF
反向恢復(fù)時(shí)間:35ns
結(jié)溫范圍:-55℃至+175℃
1. 高擊穿電壓(650V),適合高壓應(yīng)用場(chǎng)景。
2. 超低導(dǎo)通電阻(Rds(on)僅為190mΩ),顯著降低傳導(dǎo)損耗。
3. 快速開(kāi)關(guān)性能,優(yōu)化了動(dòng)態(tài)損耗。
4. 內(nèi)置雪崩能力,增強(qiáng)了器件的魯棒性。
5. 采用TO-247封裝,具有良好的散熱性能。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)計(jì)。
7. 廣泛的工作溫度范圍,確保在極端環(huán)境下的可靠性。
1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)中的功率開(kāi)關(guān)。
2. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的逆變器橋臂。
3. 太陽(yáng)能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
4. 不間斷電源(UPS)系統(tǒng)。
5. LED照明驅(qū)動(dòng)電路。
6. 各種AC/DC和DC/DC轉(zhuǎn)換器。
7. 電動(dòng)工具和其他便攜式設(shè)備的功率控制單元。
IRFP260N
STW118N65MD
FDP18N65
IXFN120N65T
CSSP100N65S3