CRSD130N10L2是一款基于碳化硅(SiC)技�(shù)的MOSFET功率晶體�。這種晶體管因其高效率、高頻開(kāi)�(guān)能力和高溫性能而被廣泛�(yīng)用于工業(yè)和汽車領(lǐng)域。其�(shè)�(jì)目標(biāo)是提供卓越的�(kāi)�(guān)特�,減少能量損�,并支持緊湊型電源解決方��
該器件采用TO-247封裝形式,具有極低的�(dǎo)通電阻和快速恢�(fù)體二極管特�,非常適合于DC-DC�(zhuǎn)換器、太�(yáng)能逆變�、電�(jī)�(qū)�(dòng)器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)��
最大漏源電壓:1000V
連續(xù)漏極電流�130A
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.8mΩ
柵極電荷(Qg):95nC
輸入電容(Ciss):3800pF
反向恢復(fù)�(shí)間(trr):80ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�
CRSD130N10L2具有出色的電氣特性和熱管理能�。其主要特點(diǎn)包括�
- 高耐壓等級(jí),能夠承受高�(dá)1000V的工作電壓,適用于高壓應(yīng)用環(huán)��
- 極低的導(dǎo)通電�,顯著降低傳�(dǎo)損耗,提高整體系統(tǒng)效率�
- 快速開(kāi)�(guān)速度和較低的柵極電荷,確保在高頻條件下依然保持高效運(yùn)��
- �(nèi)置快速恢�(fù)體二極管,優(yōu)化了�(xù)流路徑并減少了開(kāi)�(guān)損��
- 碳化硅材料的使用使其具備更高的溫度耐受�,能夠在極端�(huán)境下可靠工作�
- 兼容�(biāo)�(zhǔn)硅基�(qū)�(dòng)電路,簡(jiǎn)化了�(shè)�(jì)集成�(guò)程�
- 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代電子產(chǎn)品的合規(guī)性要求�
這款碳化硅MOSFET適合多種高功率和高壓�(yīng)用場(chǎng)景:
- 高效DC-DC�(zhuǎn)換器,例如電�(dòng)汽車中的車載充電器和電池管理系統(tǒng)�
- 太陽(yáng)能光伏逆變�,用于將直流電轉(zhuǎn)化為交流電輸出到電網(wǎng)�
- 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)器和伺服控制系統(tǒng),提供精確的速度與位置控��
- 不間斷電源(UPS)設(shè)備,確保�(guān)鍵負(fù)載的持續(xù)供電�
- 高頻硬開(kāi)�(guān)或軟�(kāi)�(guān)�?fù)浣Y(jié)�(gòu),如PFC(功率因�(shù)校正)電路和LLC諧振�(zhuǎn)換器�
CRSD120N10L2, CRSD150N10L2