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CRSM027N08N4 發(fā)布時間 時間:2025/4/28 11:44:30 查看 閱讀:38

CRSM027N08N4 是一款基于碳化硅 (SiC) 技術(shù)的 MOSFET 芯片,專為高效率和高功率密度的應(yīng)用場景設(shè)計。該器件具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度以及出色的熱性能,適用于工業(yè)電源、太陽能逆變器、電動汽車充電設(shè)備以及其他高壓高頻應(yīng)用場景。
  作為 SiC MOSFET 的一員,CRSM027N08N4 提供了顯著優(yōu)于傳統(tǒng)硅基 MOSFET 的電氣性能,在硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用中均表現(xiàn)出色,能夠幫助設(shè)計人員實現(xiàn)更小體積、更高效率和更可靠的產(chǎn)品。

參數(shù)

額定電壓:800V
  額定電流:27A
  導(dǎo)通電阻:3.5mΩ
  柵極電荷:120nC
  反向恢復(fù)時間:5ns
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃

特性

CRSM027N08N4 具備以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少傳導(dǎo)損耗,提高整體效率。
  2. 快速開關(guān)速度,支持高頻工作,可減小無源元件的尺寸。
  3. 出色的熱性能,能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行,延長器件壽命。
  4. 內(nèi)置反并聯(lián)二極管,具備零反向恢復(fù)特性,降低開關(guān)噪聲。
  5. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)系統(tǒng)在異常情況下的魯棒性。
  6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),綠色環(huán)保。
  此外,該器件采用先進(jìn)的封裝技術(shù),進(jìn)一步優(yōu)化了散熱性能與電氣連接可靠性。

應(yīng)用

CRSM027N08N4 廣泛應(yīng)用于需要高效能和高可靠性的領(lǐng)域,包括但不限于:
  1. 工業(yè)電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng),如 UPS 和電機(jī)驅(qū)動。
  2. 太陽能逆變器,用于最大化光伏系統(tǒng)的能源輸出。
  3. 電動汽車充電樁,支持快速充電和緊湊設(shè)計。
  4. 開關(guān)電源 (SMPS),提供更高的功率密度和更低的能耗。
  5. DC-DC 轉(zhuǎn)換器,用于汽車電子和通信基礎(chǔ)設(shè)施。
  由于其優(yōu)異的性能表現(xiàn),CRSM027N08N4 成為現(xiàn)代電力電子設(shè)計中的理想選擇。

替代型號

CRSM030N08N4
  CRSM025N08N4

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