時間：2025/4/28 11:44:30
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CRSM027N08N4 是一款基于碳化硅 (SiC) 技術(shù)的 MOSFET 芯片，專為高效率和高功率密度的應(yīng)用場景設(shè)計。該器件具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度以及出色的熱性能，適用于工業(yè)電源、太陽能逆變器、電動汽車充電設(shè)備以及其他高壓高頻應(yīng)用場景。
作為 SiC MOSFET 的一員，CRSM027N08N4 提供了顯著優(yōu)于傳統(tǒng)硅基 MOSFET 的電氣性能，在硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用中均表現(xiàn)出色，能夠幫助設(shè)計人員實現(xiàn)更小體積、更高效率和更可靠的產(chǎn)品。
額定電壓：800V
額定電流：27A
導(dǎo)通電阻：3.5mΩ
柵極電荷：120nC
反向恢復(fù)時間：5ns
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
CRSM027N08N4 具備以下顯著特性：
1. 極低的導(dǎo)通電阻，有助于減少傳導(dǎo)損耗，提高整體效率。
2. 快速開關(guān)速度，支持高頻工作，可減小無源元件的尺寸。
3. 出色的熱性能，能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行，延長器件壽命。
4. 內(nèi)置反并聯(lián)二極管，具備零反向恢復(fù)特性，降低開關(guān)噪聲。
5. 高雪崩能量能力，增強(qiáng)系統(tǒng)在異常情況下的魯棒性。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，綠色環(huán)保。
此外，該器件采用先進(jìn)的封裝技術(shù)，進(jìn)一步優(yōu)化了散熱性能與電氣連接可靠性。
CRSM027N08N4 廣泛應(yīng)用于需要高效能和高可靠性的領(lǐng)域，包括但不限于：
1. 工業(yè)電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，如 UPS 和電機(jī)驅(qū)動。
2. 太陽能逆變器，用于最大化光伏系統(tǒng)的能源輸出。
3. 電動汽車充電樁，支持快速充電和緊湊設(shè)計。
4. 開關(guān)電源 (SMPS)，提供更高的功率密度和更低的能耗。
5. DC-DC 轉(zhuǎn)換器，用于汽車電子和通信基礎(chǔ)設(shè)施。
由于其優(yōu)異的性能表現(xiàn)，CRSM027N08N4 成為現(xiàn)代電力電子設(shè)計中的理想選擇。
CRSM030N08N4
CRSM025N08N4
