CRSM060N06L2是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的增�(qiáng)型功率晶體管。該器件采用先�(jìn)的GaN-on-Silicon工藝制�,具有高效率、高頻開�(guān)和低�(dǎo)通電阻的特點(diǎn),適合用于高頻DC-DC�(zhuǎn)換器、電源適配器、無線充電和其他功率�(zhuǎn)換應(yīng)��
這款晶體管通過�(yōu)化設(shè)�(jì)�(shí)�(xiàn)了極低的�(dǎo)通電阻和柵極電荷,從而顯著降低了傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損�,提高了整體系統(tǒng)效率�
型號(hào):CRSM060N06L2
類型:增�(qiáng)型氮化鎵場效�(yīng)晶體管(eGaN FET�
最大漏源電�(Vds)�600V
最大連續(xù)漏電�(Id)�6A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�140mΩ
柵極閾值電�(Vgs(th))�2.5V~4.5V
總柵極電�(Qg)�35nC
反向恢復(fù)�(shí)�(trr):典型�<50ns
工作溫度范圍�-55°C to +150°C
封裝形式:TO-252 (DPAK)
CRSM060N06L2的核心優(yōu)勢在于其采用了高性能的氮化鎵材料,這使得它具備以下特點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電�,能夠有效降低傳�(dǎo)損耗�
2. 高頻率開�(guān)能力,適用于高頻電路�(shè)�(jì),減少磁性元件體��
3. 快速的開關(guān)速度,�(jìn)一步減少了開關(guān)損��
4. 更小的封裝尺寸,有助于實(shí)�(xiàn)緊湊型設(shè)�(jì)�
5. 耐高溫性能�(qiáng),能夠在惡劣�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
此外,與傳統(tǒng)硅基MOSFET相比,CRSM060N06L2在相同規(guī)格下表現(xiàn)出更高的效率和更低的熱耗散�
CRSM060N06L2廣泛�(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(lǐng)�,包括但不限于:
1. 高效DC-DC�(zhuǎn)換器�(shè)�(jì)�
2. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的快速充電器和適配器�
3. 無線充電系統(tǒng)的功率傳輸模塊�
4. 工業(yè)�(shè)備中的高頻逆變��
5. LED�(qū)�(dòng)器和其他需要高效率、高頻工作的場景�
CRSM060N06L3
CRSM060N06L4