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CRSM060N06L2 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/11 17:59:02 查看 閱讀�5

CRSM060N06L2是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的增�(qiáng)型功率晶體管。該器件采用先�(jìn)的GaN-on-Silicon工藝制�,具有高效率、高頻開�(guān)和低�(dǎo)通電阻的特點(diǎn),適合用于高頻DC-DC�(zhuǎn)換器、電源適配器、無線充電和其他功率�(zhuǎn)換應(yīng)��
  這款晶體管通過�(yōu)化設(shè)�(jì)�(shí)�(xiàn)了極低的�(dǎo)通電阻和柵極電荷,從而顯著降低了傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損�,提高了整體系統(tǒng)效率�

參數(shù)

型號(hào):CRSM060N06L2
  類型:增�(qiáng)型氮化鎵場效�(yīng)晶體管(eGaN FET�
  最大漏源電�(Vds)�600V
  最大連續(xù)漏電�(Id)�6A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�140mΩ
  柵極閾值電�(Vgs(th))�2.5V~4.5V
  總柵極電�(Qg)�35nC
  反向恢復(fù)�(shí)�(trr):典型�<50ns
  工作溫度范圍�-55°C to +150°C
  封裝形式:TO-252 (DPAK)

特�

CRSM060N06L2的核心優(yōu)勢在于其采用了高性能的氮化鎵材料,這使得它具備以下特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電�,能夠有效降低傳�(dǎo)損耗�
  2. 高頻率開�(guān)能力,適用于高頻電路�(shè)�(jì),減少磁性元件體��
  3. 快速的開關(guān)速度,�(jìn)一步減少了開關(guān)損��
  4. 更小的封裝尺寸,有助于實(shí)�(xiàn)緊湊型設(shè)�(jì)�
  5. 耐高溫性能�(qiáng),能夠在惡劣�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
  此外,與傳統(tǒng)硅基MOSFET相比,CRSM060N06L2在相同規(guī)格下表現(xiàn)出更高的效率和更低的熱耗散�

�(yīng)�

CRSM060N06L2廣泛�(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(lǐng)�,包括但不限于:
  1. 高效DC-DC�(zhuǎn)換器�(shè)�(jì)�
  2. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的快速充電器和適配器�
  3. 無線充電系統(tǒng)的功率傳輸模塊�
  4. 工業(yè)�(shè)備中的高頻逆變��
  5. LED�(qū)�(dòng)器和其他需要高效率、高頻工作的場景�

替代型號(hào)

CRSM060N06L3
  CRSM060N06L4

crsm060n06l2推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)