CRTD045N03L-12 是一款來� Infineon(英飛凌)的 N 溝道增強� MOSFET 功率晶體�。該器件采用 TO-263 封裝形式,具有低導通電阻和高效率的特點,適用于各種功率�(zhuǎn)換、電機驅(qū)動以及負載開關應�。其額定電壓� 30V,并且支持較高的連續(xù)漏極電流,能夠滿足大功率應用的需��
該型號屬� OptiMOS 系列,優(yōu)化了動態(tài)性能和靜�(tài)性能之間的平衡,從而提高了系統(tǒng)效率并降低了功��
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�45A
導通電阻:1.2mΩ
柵極電荷�89nC
總電容:2300pF
工作結溫范圍�-55� � +175�
CRTD045N03L-12 具有以下主要特性:
1. 極低的導通電� (Rds(on)),可顯著降低傳導損�,提高效率�
2. 高雪崩能�,增強了在異常情況下的耐用��
3. 快速開關速度,適合高頻應��
4. 符合 RoHS 標準,環(huán)保設��
5. 提供�(yōu)異的熱性能,確保在高功率條件下�(wěn)定運��
6. �(nèi)置反向二極管,支持續(xù)流功��
7. 耐熱增強型封�,提升散熱性能�
該器件廣泛應用于以下領域�
1. 開關電源 (SMPS) 中的同步整流�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的高端或低端開��
3. 電動工具和家用電器中的電機驅(qū)��
4. 工業(yè)自動化設備中的負載開��
5. 新能源領域如太陽能逆變器和電池管理系統(tǒng) (BMS) 的功率控制�
6. 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換和保護電��
CRTD045N03L, IRF3710, FDP057N06L