CRTS032N06N是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的功率晶體管,適用于高頻、高效能開關(guān)電源和DC-DC�(zhuǎn)換器�(yīng)用。這款晶體管具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和高擊穿電壓的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)效率并減小整體尺�。其封裝形式為TO-247,適合于大功率場(chǎng)景�
型號(hào):CRTS032N06N
類型:增�(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET�
材料:氮化鎵(GaN�
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�32A
�(dǎo)通電阻(典型值)�45mΩ
柵極電荷(典型值)�135nC
開關(guān)頻率:高�(dá)5MHz
工作溫度范圍�-55℃至+175�
封裝:TO-247
CRTS032N06N采用先�(jìn)的氮化鎵技�(shù)制�,相比傳�(tǒng)的硅基MOSFET,它在開�(guān)速度和導(dǎo)通損耗方面具有顯著優(yōu)�(shì)�
1. 高效性能:得益于極低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷,該器件能夠在高頻條件下保持高效的開�(guān)表現(xiàn)�
2. 高可靠性:�(shè)�(jì)上具備出色的熱穩(wěn)定性和抗浪涌能力,確保�(zhǎng)期運(yùn)行的�(wěn)定��
3. 小型化支持:由于其高頻工作能�,可大幅減少無源元件的尺寸和�(shù)量,從而降低系�(tǒng)體積�
4. 寬溫范圍:工作溫度范圍從-55℃到+175℃,適應(yīng)各種惡劣�(huán)境下的使用需��
5. 快速恢�(fù):內(nèi)部結(jié)�(gòu)�(yōu)化以�(shí)�(xiàn)更快的動(dòng)�(tài)響應(yīng),適合對(duì)瞬態(tài)響應(yīng)要求較高的應(yīng)用場(chǎng)��
CRTS032N06N廣泛�(yīng)用于需要高效率和高功率密度的領(lǐng)域,包括但不限于以下�(chǎng)景:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS):如AC-DC適配器和服務(wù)器電��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器:特別是在電�(dòng)汽車充電站和通信基站��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng):用于工�(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的高效電�(jī)控制�
4. 能量存儲(chǔ)系統(tǒng):如太陽能逆變器和�(chǔ)能管理模��
5. PFC電路:功率因�(shù)校正�(yīng)用中提供更高的效率和更小的解決方��
CSD19538Q5B
CRTS032N06L
IRF540N