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CRTT029N06N 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/20 10:58:09 查看 閱讀:24

CRTT029N06N 是一款 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和出色的熱性能。它適用于多種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用,如開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和負(fù)載切換等場(chǎng)景。
  這款 MOSFET 的電壓等級(jí)為 60V,適合在中低壓系統(tǒng)中使用。其封裝形式通常為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的表面貼裝或通孔封裝,便于在各種電路板設(shè)計(jì)中集成。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流:29A
  導(dǎo)通電阻:1.8mΩ
  柵極電荷:37nC
  開(kāi)關(guān)速度:快速
  工作結(jié)溫范圍:-55℃ 至 150℃

特性

CRTT029N06N 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,可減少傳導(dǎo)損耗并提高效率。
  2. 高速開(kāi)關(guān)能力,適用于高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
  3. 出色的熱穩(wěn)定性,確保在高溫環(huán)境下仍能可靠運(yùn)行。
  4. 小型化封裝選項(xiàng),有助于節(jié)省 PCB 空間。
  5. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件的魯棒性。
  6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足國(guó)際法規(guī)要求。

應(yīng)用

CRTT029N06N 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)中的功率級(jí)開(kāi)關(guān)。
  2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的功率轉(zhuǎn)換與控制。
  3. 各種工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換。
  4. 汽車電子系統(tǒng)中的直流電機(jī)控制。
  5. LED 照明驅(qū)動(dòng)中的高效功率管理。
  6. 電池管理系統(tǒng)中的充放電保護(hù)與均衡控制。

替代型號(hào)

CRTT032N06N, IRFZ44N, FDP18N6S

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