時間：2025/4/29 8:56:47
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CRTT055N10N是一款基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的高電子遷移率晶體管（HEMT），由英諾賽科（Innoscience）生產(chǎn)。該器件采用了先進(jìn)的8英寸硅基氮化鎵工藝，具有高功率密度、低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特點，適用于高頻高效電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用，例如數(shù)據(jù)中心電源、通信電源和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動等領(lǐng)域。
該芯片通過優(yōu)化設(shè)計實現(xiàn)了更小的封裝尺寸和更高的效率，同時具備良好的熱性能和可靠性。
最大漏源電壓：100V
連續(xù)漏極電流：5.5A
導(dǎo)通電阻：4.5mΩ
柵極電荷：30nC
輸入電容：1200pF
輸出電容：160pF
反向傳輸電容：25pF
工作溫度范圍：-55℃至150℃
CRTT055N10N具有以下主要特性：
1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），有效降低傳導(dǎo)損耗，提升整體效率。
2. 高速開關(guān)能力，支持MHz級別的開關(guān)頻率，非常適合高頻應(yīng)用。
3. 小型化的DFN8x8封裝形式，有助于節(jié)省PCB空間并簡化布局。
4. 內(nèi)置ESD保護(hù)電路，增強(qiáng)器件的抗靜電能力。
5. 高度可靠的硅基氮化鎵技術(shù)，提供長期穩(wěn)定的性能表現(xiàn)。
6. 支持硬開關(guān)和軟開關(guān)兩種模式，適應(yīng)多種應(yīng)用場景需求。
該器件廣泛應(yīng)用于各種電力電子設(shè)備中，具體包括但不限于：
1. 開關(guān)電源（SMPS），如AC-DC適配器和USB-PD快充頭。
2. 數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器電源模塊。
3. 通信基站中的DC-DC轉(zhuǎn)換器。
4. 工業(yè)自動化領(lǐng)域的伺服驅(qū)動和逆變器。
5. 汽車電子中的車載充電器（OBC）及DC-DC變換器。
6. 太陽能微型逆變器和其他可再生能源相關(guān)產(chǎn)品。
CRTT060N10L, INN650D02
