CS2N60A3H 是一款高性能� N 沫場效應(yīng)晶體管(MOSFET�,主要用于高頻開�(guān)�(yīng)用和功率�(zhuǎn)換場景。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻、高擊穿電壓以及快速開�(guān)速度等特��
該型號屬于溝槽式 MOSFET �(jié)�(gòu),能夠有效降低開�(guān)損耗并提升系統(tǒng)效率。它廣泛適用� DC-DC �(zhuǎn)換器、AC-DC 電源適配�、LED �(qū)動器以及其他需要高效功率管理的�(yīng)用中�
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�3.0A
�(dǎo)通電阻:550mΩ
柵極電荷�45nC
開關(guān)時間:ton=18ns, toff=45ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
1. 極高的耐壓能力,最大漏源電壓達(dá)� 600V,適合高壓環(huán)境下的應(yīng)��
2. �(dǎo)通電阻低� 550mΩ,有助于減少�(dǎo)通損�,提高整體效率�
3. 快速的開關(guān)速度,具有較小的柵極電荷,可顯著降低開關(guān)損��
4. 小型化封裝設(shè)�,便于在緊湊空間�(nèi)使用�
5. �(wěn)定的工作性能,支持寬溫度范圍�(nèi)的可靠運(yùn)行,確保在極端條件下的穩(wěn)定��
CS2N60A3H 廣泛�(yīng)用于多種功率電子�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)元件�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器的核心開�(guān)器件�
3. LED �(qū)動電路中的高效開�(guān)組件�
4. 各類工業(yè)控制�(shè)備中的功率管理單元�
5. 電池充電器和其他便攜式設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)模塊�
STP3NU60, IRF640N