CS4N60A4R是一種高性能的MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)器件,主要應用于高電壓和高頻開關(guān)場景。該型號由知名半導體制造商生產(chǎn),具有低導通電阻、高擊穿電壓和快速開�(guān)速度等特�。其設計�(yōu)化了功率�(zhuǎn)換效率,并廣泛用于開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電機驅(qū)動等�(lǐng)域�
CS4N60A4R屬于N溝道增強型MOSFET,采用TO-252封裝形式,能夠滿足緊湊型設計的需�,同時提供出色的散熱性能�
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�4.0A
導通電阻:750mΩ(典型值,在Vgs=10V時)
柵極電荷�15nC(典型值)
總功耗:1.8W
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
CS4N60A4R具備以下�(guān)鍵特性:
1. 高擊穿電壓:支持高達600V的工作電�,適合高壓應用環(huán)��
2. 低導通電阻:在額定條件下表現(xiàn)出較低的導通電阻,從而減少功率損��
3. 快速開�(guān)性能:低柵極電荷和輸出電�,有助于實現(xiàn)高頻開關(guān)操作�
4. 緊湊封裝:采用TO-252小型封裝,節(jié)省PCB空間并提高散熱效��
5. 寬工作溫度范圍:能夠在極端溫度條件下�(wěn)定運行,適應各種工業(yè)和消費類應用場景�
CS4N60A4R適用于多種電力電子領(lǐng)�,包括但不限于以下應用:
1. 開關(guān)電源(SMPS):用于AC-DC或DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)元件�
2. 電機�(qū)動:控制直流無刷電機(BLDC)或其他類型電機的速度和方向�
3. 能量管理系統(tǒng):如電池充電�、逆變器和不間斷電源(UPS)中作為核心功率器件�
4. 工業(yè)自動化設備:如伺服驅(qū)動器和可編程邏輯控制器(PLC��
5. 消費類電子產(chǎn)品:如家用電器中的功率管理模��
CS4N60A4L, IRF640N, FDP5700N