CS4N65A3R是一種高性能的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)器件,采用先�(jìn)的制造工藝設(shè)�(jì)而成。該型號(hào)為N溝道增強(qiáng)型MOSFET,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開�(guān)等領(lǐng)�。它具有低導(dǎo)通電�、高擊穿電壓和快速開�(guān)速度等特�(diǎn),能夠在高頻和高效率的應(yīng)用中提供卓越性能�
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓(Vds):65V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
持續(xù)漏極電流(Id):4.8A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):65mΩ
總柵極電荷(Qg):17nC
輸入電容(Ciss):1100pF
開關(guān)速度:快�
工作溫度范圍�-55℃至+150�
CS4N65A3R具備以下顯著特點(diǎn)�
1. 高擊穿電壓(65V�,適用于多種高壓�(yīng)用環(huán)��
2. 極低的導(dǎo)通電阻(65mΩ),減少功率損�,提高整體系�(tǒng)效率�
3. 快速開�(guān)速度,能夠有效降低開�(guān)損�,在高頻�(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)��
4. 小封裝尺寸,適合�(duì)空間要求較高的設(shè)�(jì)�(chǎng)��
5. �(wěn)定的工作性能,能在較寬的溫度范圍�(nèi)保持可靠�(yùn)行�
6. 總柵極電荷較低(17nC�,驅(qū)�(dòng)功耗小,易于與�(qū)�(dòng)電路集成�
CS4N65A3R廣泛用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流和初級(jí)�(cè)開關(guān)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器,包括降壓和升壓電路�
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載開�(guān)�
4. 各類電機(jī)�(qū)�(dòng)�(yīng)�,例如無刷直流電�(jī)控制�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率開�(guān)�
6. 汽車電子中的�(fù)載切換和保護(hù)電路�
7. 其他需要高效功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)操作的場(chǎng)合�
CS4N65A3R的常見替代型�(hào)包括:IRF540N、AO3400A、FDS6670A