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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > CS4N65FA9R

CS4N65FA9R 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 21:13:35 查看 閱讀�26

CS4N65FA9R是一款高性能的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),主要應(yīng)用于高頻�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及各種功率管理電路�。該器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)�(guān)速度,能夠有效降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。其封裝形式為TO-252,適合表面貼裝應(yīng)用,同時(shí)具備出色的散熱性能�

參數(shù)

型號(hào):CS4N65FA9R
  類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�65V
  最大柵極源極電�(Vgs):�20V
  最大連續(xù)漏極電流(Id)�4.1A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�130mΩ(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
  總柵極電�(Qg)�13nC
  輸入電容(Ciss)�1150pF
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C
  封裝形式:TO-252

特�

CS4N65FA9R的主要特�(diǎn)是其低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度。低�(dǎo)通電阻有助于減少傳導(dǎo)損耗,從而提高系�(tǒng)的整體效�。此�,該器件具有較小的柵極電�,這意味著在高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用中可以�(shí)�(xiàn)更快的切換速度,同�(shí)減少�(kāi)�(guān)損��
  該器件還具備�(yōu)秀的熱�(wěn)定性,能夠在較寬的工作溫度范圍�(nèi)保持�(wěn)定的性能表現(xiàn)。由于其采用表面貼裝封裝,CS4N65FA9R非常適合用于需要緊湊設(shè)�(jì)的應(yīng)用場(chǎng)景,同時(shí)便于自動(dòng)化生�(chǎn)和組��
  CS4N65FA9R適用于多種電子設(shè)備中的功率管理模�,包括但不限于筆記本電腦適配�、LED�(qū)�(dòng)�、工�(yè)控制�(shè)備等。其可靠的性能和高效的功率�(zhuǎn)換能力使其成為眾多工程師在設(shè)�(jì)高效功率系統(tǒng)�(shí)的理想選��

�(yīng)�

CS4N65FA9R廣泛�(yīng)用于各類需要高效功率轉(zhuǎn)換和管理的領(lǐng)�,例如:
  - �(kāi)�(guān)電源(Switching Power Supplies)
  - DC-DC�(zhuǎn)換器(DC-DC Converters)
  - 電池充電管理系統(tǒng)(Battery Charging Management Systems)
  - LED�(qū)�(dòng)電路(LED Drivers)
  - 工業(yè)控制與自�(dòng)化設(shè)�(Industrial Control and Automation Equipment)
  - 消費(fèi)類電子產(chǎn)�(Consumer Electronics)

替代型號(hào)

CSA4N65FA9R
  IRF540N
  FDP5580
  AON7711

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  • �(chǎn)品型�(hào)
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