CSD16325Q5是一款由德州儀器(TI)生�(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。這款器件采用先�(jìn)的制程工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn)。它廣泛�(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)動、DC-DC�(zhuǎn)換器以及�(fù)載開�(guān)等領(lǐng)��
該芯片特別適合需要高效能和低功耗的場景,例如筆記本電腦適配�、服�(wù)器電�、電信設(shè)備等。通過�(yōu)化的封裝�(shè)�(jì)和出色的熱性能,CSD16325Q5能夠提供�(wěn)定的�(yùn)行表�(xiàn)�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�89A
�(dǎo)通電阻:1.4mΩ
柵極電荷�73nC
輸入電容�2520pF
工作溫度范圍�-55℃至175�
封裝形式:DSBGA-8
CSD16325Q5是一款高性能的功率MOSFET,其主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,僅�1.4mΩ,從而顯著降低傳�(dǎo)損��
2. 高額定電流能�,連續(xù)漏極電流可達(dá)89A,滿足大功率�(yīng)用需��
3. 快速開�(guān)性能,柵極電荷僅�73nC,可減少開關(guān)損��
4. 支持寬范圍的工作溫度,從-55℃到175�,適用于各種�(yán)苛環(huán)��
5. 小巧的DSBGA-8封裝�(shè)�(jì),節(jié)省PCB空間并具備良好的散熱性能�
6. 具備�(yōu)秀的雪崩能力和耐用�,確保在異常條件下也能可靠運(yùn)行�
這些特性使CSD16325Q5成為高效�、高密度功率�(zhuǎn)換系�(tǒng)的理想選��
CSD16325Q5適合多種電力電子�(yīng)用場景,包括但不限于�
1. 電源管理系統(tǒng)中的同步整流和負(fù)載切��
2. 電機(jī)�(qū)動電�,特別是直流無刷電機(jī)控制�
3. 高效DC-DC�(zhuǎn)換器的核心開�(guān)元件�
4. 筆記本電腦適配器及便攜式電子�(shè)備的電源模塊�
5. 通信基礎(chǔ)�(shè)施中的功率分配和�(diào)節(jié)�
6. 工業(yè)自動化領(lǐng)域內(nèi)的各類驅(qū)動和控制單元�
由于其卓越的性能指標(biāo),該芯片能夠有效提升系統(tǒng)效率并減少能��
CSD16324Q5A, CSD16323Q5A