CSD16412Q5A 是一款由德州儀器(TI)生�(chǎn)� N 沒有極場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET�。該器件采用先�(jìn)的工藝制造,具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn)。它適用于需要高效能功率�(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)合,例如電機(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)和電源管理電路等。該 MOSFET 采用� QFN 封裝,有助于提高散熱性能并節(jié)省印刷電路板的空��
這款器件的工作電壓范圍寬廣,能夠承受較高的漏源電�,同�(shí)具備�(yōu)異的熱穩(wěn)定性和可靠�,適合在各種惡劣�(huán)境下工作�
類型:N溝道增強(qiáng)� MOSFET
封裝:QFN (5x6mm)
最大漏源電壓(Vds):30V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):97A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.3mΩ(典型值,� Vgs=10V �(shí)�
柵極電荷(Qg):88nC(典型值)
開關(guān)�(shí)間:ton=11ns,toff=19ns(典型值)
功耗:取決于具體應(yīng)用條�
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
CSD16412Q5A 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,能夠有效降低功率損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 高電流承載能�,支持高�(dá) 97A 的連續(xù)漏極電流�
3. 快速開�(guān)特�,減少了開關(guān)損�,適合高頻應(yīng)��
4. 緊湊� QFN 封裝�(shè)�(jì),節(jié)� PCB 空間,同�(shí)提供良好的散熱性能�
5. 寬泛的工作電壓范�,能夠適�(yīng)多種電路需求�
6. 符合汽車�(jí)�(biāo)�(zhǔn),能夠在極端溫度范圍�(nèi)保持�(wěn)定運(yùn)行�
7. 提供了優(yōu)異的 ESD 和浪涌保�(hù)功能,增�(qiáng)了器件的魯棒��
這些特性使� CSD16412Q5A 成為高效�、高密度功率�(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�
CSD16412Q5A 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 汽車電子:如電動(dòng)助力�(zhuǎn)向系�(tǒng)(EPS�、制�(dòng)系統(tǒng)、空�(diào)壓縮�(jī)��
2. 工業(yè)自動(dòng)化:用于伺服�(qū)�(dòng)器、逆變�、不間斷電源(UPS)等�(shè)��
3. 通信�(shè)備:適用于基站功率放大器、電信電源模��
4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:如筆記本電腦適配�、游戲機(jī)電源��
5. LED 照明:用于驅(qū)�(dòng)大功� LED 燈具�
由于其高性能和可靠�,CSD16412Q5A 在許多對(duì)效率和空間要求嚴(yán)格的�(chǎng)景中表現(xiàn)出色�
CSD18502Q5A, CSD19501Q5B