CSD17501Q5A 是一款由德州儀� (TI) 推出� N 通道增強(qiáng)� SiC(碳化硅)MOSFET。這款器件采用先�(jìn)的碳化硅技�(shù),能夠在高頻開關(guān)�(yīng)用中提供卓越的效率和功率密度。它適合用于高電�、大電流場景,例� EV 充電�、太陽能逆變器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及 DC-DC �(zhuǎn)換器等應(yīng)��
該器件具有較低的�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,能夠顯著減少傳導(dǎo)和開�(guān)損�,同�(shí)支持高達(dá) 1200V 的工作電壓,確保在惡劣條件下依然保持�(wěn)定性能�
最大漏源電壓:1200V
連續(xù)漏極電流�9A
�(dǎo)通電阻(典型值)�65mΩ
柵極閾值電壓:2.5V � 5.5V
輸入電容�480pF
總柵極電荷:60nC
開關(guān)速度:非?�?br> 封裝形式:TO-247-4
CSD17501Q5A 使用� SiC 材料,相比傳�(tǒng)硅基 MOSFET 提供了更高的耐壓能力和更低的�(dǎo)通電�,從而實(shí)�(xiàn)更高效的能量�(zhuǎn)換。其快速開�(guān)特性減少了開關(guān)損�,并允許�(shè)�(jì)人員在更高頻率下�(yùn)行系�(tǒng),從而減小無源元件尺寸并提高整體功率密度�
此外,CSD17501Q5A 的熱性能�(yōu)�,具備更高的�(jié)溫能力(最高可�(dá) 175°C�,有助于簡化散熱�(shè)�(jì)并提升系�(tǒng)的可靠性�
由于其低 Qg � Ciss 參數(shù),這款 MOSFET 易于�(qū)�(dòng),可以與�(biāo)�(zhǔn)工業(yè)�(qū)�(dòng) IC 配合使用,�(jìn)一步簡化設(shè)�(jì)流程�
CSD17501Q5A 廣泛�(yīng)用于需要高效能和高可靠性的�(lǐng)域,包括但不限于以下方面�
- 電動(dòng)汽車 (EV) 充電�
- 太陽能光伏逆變�
- 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)系統(tǒng)
- 高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器
- 不間斷電� (UPS)
- PFC(功率因�(shù)校正)電�
憑借其高耐壓特性和低損耗表�(xiàn),CSD17501Q5A 成為這些高要求應(yīng)用的理想選擇�
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