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CSD17507Q5A 發(fā)布時間 時間�2025/5/6 13:27:05 查看 閱讀�18

CSD17507Q5A 是一款由德州儀器(TI)生�(chǎn)的增�(qiáng)� N 通道邏輯電平場效�(yīng)晶體� (MOSFET)。該器件采用先�(jìn)的封裝技�(shù),適用于高效率開�(guān)�(yīng)用和�(fù)載切換場�。其低導(dǎo)通電阻特性使得該 MOSFET 在高頻開�(guān)電路中表�(xiàn)出色,同時能夠支持較高的連續(xù)漏極電流。該器件廣泛�(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�、負(fù)載開�(guān)以及其他功率管理�(yīng)用中�
  這款 MOSFET 的設(shè)�(jì)重點(diǎn)在于降低功耗并提升系統(tǒng)效率,同時保持良好的熱性能。通過�(yōu)化的芯片�(shè)�(jì)和封裝技�(shù),CSD17507Q5A 可以在高溫環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�

參數(shù)

最大漏源電�(Vds)�30V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�94A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�1.5mΩ
  柵極電荷(Qg)�48nC
  輸入電容(Ciss)�4260pF
  輸出電容(Coss)�560pF
  反向傳輸電容(Crss)�90pF
  工作溫度范圍�-55°C�175°C

特�

1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),僅� 1.5mΩ,可顯著降低�(dǎo)通損��
  2. 高額定電流能�,連續(xù)漏極電流高達(dá) 94A,適合大功率�(yīng)��
  3. 邏輯電平�(qū)動兼容�,確保使用標(biāo)�(zhǔn) CMOS � TTL 輸出輕松控制�
  4. 支持高頻率開�(guān)操作,具備較低的柵極電荷 Qg 和反向恢�(fù)電荷�
  5. 工作溫度范圍廣(-55°C � 175°C�,可在極端條件下�(yùn)��
  6. 符合汽車� AEC-Q101 �(biāo)�(zhǔn),適合車載電子設(shè)��
  7. 先�(jìn)的封裝形式,有助于提高散熱性能和機(jī)械穩(wěn)定��

�(yīng)�

1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
  2. 電動車輛和混合動力車輛中的電�(jī)控制器�
  3. 高效�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
  4. 汽車電子系統(tǒng)中的電池管理系統(tǒng) (BMS)�
  5. LED 照明�(qū)動器及逆變器�
  6. 工業(yè)自動化中的伺服驅(qū)動和�(jī)器人控制�
  7. 大功率音頻放大器和其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場景�

替代型號

CSD18502Q5A, IRF7842PbF, FDS8937DG

csd17507q5a推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

csd17507q5a資料 更多>

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csd17507q5a參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊NexFET MOSFET Technology
  • 視頻文件PowerStack? Packaging Technology Overview
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列NexFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C65A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10.8 毫歐 @ 11A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.1V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs3.6nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds530pF @ 15V
  • 功率 - 最�3W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SON�5x6�
  • 包裝Digi-Reel?
  • 其它名稱296-27791-6