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CSD17510Q5A 發(fā)布時間 時間�2025/5/6 18:19:13 查看 閱讀�27

CSD17510Q5A是德州儀器(TI)推出的一款N通道增強型硅 Carbide MOSFET。該器件采用了先進的制造工藝,具有極低的導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度,非常適合用于高頻、高效能的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中。其出色的性能使其成為眾多功率電子�(shè)計的理想選擇,尤其是在需要小尺寸、高性能的應(yīng)用場合�
  該MOSFET的設(shè)計旨在滿足工�(yè)、汽車和通信系統(tǒng)中對高效能和高可靠性的需求。通過�(jié)合低�(dǎo)通損耗和低開�(guān)損�,CSD17510Q5A能夠顯著提升系統(tǒng)的整體效��

參數(shù)

型號:CSD17510Q5A
  類型:N通道MOSFET
  材料:Silicon Carbide (SiC)
  最大漏源電�(Vds)�650V
  連續(xù)漏極電流(Id)�8A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�23mΩ(典型��25°C�
  柵極電荷(Qg)�42nC(典型值)
  工作�(jié)溫范�(Tj)�-55°C�175°C
  封裝形式:TO-247

特�

CSD17510Q5A具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠在高電流應(yīng)用下減少傳導(dǎo)損��
  2. 高開�(guān)速度,有助于降低開關(guān)損耗并提高效率�
  3. 高額定電壓(650V),使其適用于各種高壓應(yīng)用場��
  4. 良好的熱�(wěn)定性,能夠在寬溫度范圍�(nèi)保持�(wěn)定的性能�
  5. 符合RoHS標準,環(huán)保且可靠性高�
  6. 可靠的短路耐受能力,進一步提升了器件的魯棒��
  7. 支持高頻開關(guān)操作,適合DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變器和其他功率�(zhuǎn)換應(yīng)用�

�(yīng)�

CSD17510Q5A廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率因�(shù)校正(PFC)電路�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器,特別是在需要高效率和高功率密度的設(shè)計中�
  3. 太陽能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(shè)��
  4. 電動車輛(EV)和混合動力車輛(HEV)的電機�(qū)動和車載充電��
  5. 工業(yè)電機�(qū)動和伺服控制�
  6. 不間斷電源(UPS)系�(tǒng)�
  7. 充電器和適配器設(shè)��

替代型號

CSD18532Q5B

csd17510q5a推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

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csd17510q5a參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊NexFET MOSFET Technology
  • 視頻文件PowerStack? Packaging Technology Overview
  • 標準包裝1
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列NexFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C100A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.2 毫歐 @ 20A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.1V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs8.3nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1250pF @ 15V
  • 功率 - 最�3W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SON�5x6�
  • 包裝Digi-Reel?
  • 其它名稱296-27792-6