CSD17553Q5A是德州儀器(TI)推出的一款N溝道增強(qiáng)型碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET�。這款器件采用了先�(jìn)的碳化硅技�(shù),具有出色的開關(guān)性能和耐壓能力,適用于高效�、高功率密度的電力電子應(yīng)�。其封裝形式為TO-247-4,適合表面貼裝和通孔安裝�
CSD17553Q5A的主要特�(diǎn)是低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度,這使其成為電�(dòng)汽車充電、太陽能逆變器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及DC-DC�(zhuǎn)換器等高電壓�(yīng)用的理想選擇�
最大漏源電壓:1200V
連續(xù)漏極電流�8A
�(dǎo)通電阻:65mΩ
柵極電荷�85nC
開關(guān)速度:非常快
工作溫度范圍�-55℃至175�
封裝類型:TO-247-4
CSD17553Q5A是一款基于碳化硅材料的MOSFET,與傳統(tǒng)的硅基MOSFET相比,具有更高的擊穿電壓、更低的�(dǎo)通電阻和更快的開�(guān)速度。這些特性使其能夠顯著降低開�(guān)損耗和�(dǎo)通損�,從而提高系�(tǒng)的整體效��
此外,該器件還具備優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和可靠�,能夠在高溫�(huán)境下長時(shí)間運(yùn)行而不影響性能。CSD17553Q5A的四引腳TO-247封裝�(shè)�(jì)允許�(dú)立控制源極連接,�(jìn)一步優(yōu)化了�(qū)�(dòng)電路的設(shè)�(jì)�
典型�(yōu)勢包括:
1. 高效開關(guān)性能,適用于高頻�(yīng)用場景�
2. 減少了電磁干擾問�,簡化濾波器�(shè)�(jì)�
3. 提供卓越的可靠性和耐用�,滿足工�(yè)和汽車級要求�
4. 采用碳化硅技�(shù),支持更高電壓和更小尺寸�(shè)�(jì)�
CSD17553Q5A適用于多種高壓電源管理應(yīng)�,具體包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 電動(dòng)車車載充電器(OBC)及充電�
2. 太陽能光伏逆變�
3. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)�
4. DC-DC�(zhuǎn)換器
5. 不間斷電源(UPS)系�(tǒng)
6. 高頻硬開�(guān)或軟開關(guān)�?fù)浣Y(jié)�(gòu)
由于其高效的能源�(zhuǎn)換能力和緊湊的設(shè)�(jì),這款MOSFET特別適合需要高性能和小型化的電力電子設(shè)��
CSD17563Q5A