BQ77PL900DLR這款0.84mΩ�30V、SON5mmx6mmNexFET功率MOSFET被設(shè)�(jì)成在功率�(zhuǎn)換應(yīng)用中最大限度地降低功率損耗。用于網(wǎng)�(luò)互聯(lián),電信和�(jì)算系�(tǒng)的負(fù)載點(diǎn)同步降壓�(zhuǎn)換器,已針對(duì)同步�(chǎng)效應(yīng)晶體�(FET)�(yīng)用�(jìn)行優(yōu)��
CSD17573Q5B
制造商 | 德州儀� |
制造商�(chǎn)品編�(hào) | CSD17573Q5B |
供應(yīng)� | 德州儀� |
描述 | MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON |
零件狀�(tài) | 活� |
�(chǎng)效應(yīng)管類� | N通道 |
技�(shù) | MOSFET(金屬氧化�) |
漏源電壓(Vdss) | 30� |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id) @ 25°C | 100A(Ta) |
�(qū)�(dòng)電壓 (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V�10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1mOhm @ | 35A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V@250μA |
柵極電荷 (Qg)(最大�)@ Vgs | 64 [email protected] |
Vgs(最�) | ±20V |
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds | 9000pF@15V |
功�(最�) | 3.2W (Ta), 195W(Tc) |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安裝方式 | 表面貼裝 |
供應(yīng)商設(shè)備包 | 8-VSON-CLIP(5x6) |
包裝/� | 8-PowerTDFN |
連續(xù)漏極電流 (ID) | 43A |
漏源擊穿電壓 | 30� |
漏源電阻 | 840μΩ |
漏源電壓 (Vdss) | 30� |
秋季�(shí)� | 7納秒 |
柵源電壓 (Vgs) | 20� |
輸入電容 | 9nF |
最大結(jié)� (Tj) | 150� |
最高工作溫� | 150� |
最大功� | 3.2 � |
最低工作溫� | -55� |
通道�(shù) | 1 |
包裝 | 卷帶(TR) |
功� | 3.2� |
最大Rds | 1毫歐 |
上升�(shí)� | 20納秒 |
�(guān)斷延遲時(shí)� | 40納秒 |
�(kāi)啟延遲時(shí)� | 6納秒 |
高度 | 1.05毫米 |
�(zhǎng)� | 5毫米 |
厚度 | 950微米 |
寬度 | 5毫米 |
屬� | 描述 |
RoHS狀�(tài) | 符合ROHS3 |
濕氣敏感�(MSL) | 1(�(wú)限制) |
REACH狀�(tài) | REACH受影� |
低Qg和Qgd
超低RDS(on)
低熱�
雪崩額定�
�(wú)鉛端子電�
符合RoHS
�(wú)�
SON5mm×6mm塑料封裝
用于�(wǎng)�(luò)互聯(lián)、電信和�(jì)算系�(tǒng)的負(fù)載點(diǎn)同步降壓�(zhuǎn)換器
已針�(duì)同步FET�(yīng)用�(jìn)行優(yōu)�
CSD17573Q5B符號(hào)
CSD17573Q5B腳印
CSD17573Q5B封裝
型號(hào) | 制造商 | 品名 | 描述 |
CSD17573Q5BT | 德州儀� | MOS� | MOS� N 通道 NexFET? 功率 MOSFET,Texas Instruments MOSFET 晶體� |