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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > CSD17573Q5B

CSD17573Q5B 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/7/7 13:46:55 查看 閱讀�407

描述

BQ77PL900DLR這款0.84mΩ�30V、SON5mmx6mmNexFET功率MOSFET被設(shè)�(jì)成在功率�(zhuǎn)換應(yīng)用中最大限度地降低功率損耗。用于網(wǎng)�(luò)互聯(lián),電信和�(jì)算系�(tǒng)的負(fù)載點(diǎn)同步降壓�(zhuǎn)換器,已針對(duì)同步�(chǎng)效應(yīng)晶體�(FET)�(yīng)用�(jìn)行優(yōu)��

�(chǎn)品圖�

CSD17573Q5B

CSD17573Q5B

�(guī)格參�(shù)

制造商
德州儀�
制造商�(chǎn)品編�(hào)CSD17573Q5B
供應(yīng)�德州儀�
描述
MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
零件狀�(tài)
活�
�(chǎng)效應(yīng)管類�
N通道
技�(shù)
MOSFET(金屬氧化�)
漏源電壓(Vdss)
30�
電流 - 連續(xù)漏極 (Id) @ 25°C
100A(Ta)
�(qū)�(dòng)電壓 (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V�10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1mOhm @
35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V@250μA
柵極電荷 (Qg)(最大�)@ Vgs
64 [email protected]
Vgs(最�)
±20V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
9000pF@15V
功�(最�)
3.2W (Ta), 195W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝方式
表面貼裝
供應(yīng)商設(shè)備包
8-VSON-CLIP(5x6)
包裝/�
8-PowerTDFN
連續(xù)漏極電流 (ID)43A
漏源擊穿電壓
30�
漏源電阻
840μΩ
漏源電壓 (Vdss)
30�
秋季�(shí)�
7納秒
柵源電壓 (Vgs)
20�
輸入電容
9nF
最大結(jié)� (Tj)
150�
最高工作溫�
150�
最大功�
3.2 �
最低工作溫�
-55�
通道�(shù)
1
包裝
卷帶(TR)
功�
3.2�
最大Rds
1毫歐
上升�(shí)�
20納秒
�(guān)斷延遲時(shí)�40納秒
�(kāi)啟延遲時(shí)�
6納秒
高度
1.05毫米
�(zhǎng)�
5毫米
厚度
950微米
寬度
5毫米

�(huán)境與出口分類

屬�描述
RoHS狀�(tài)
符合ROHS3
濕氣敏感�(MSL)1(�(wú)限制)
REACH狀�(tài)
REACH受影�

特點(diǎn)

  • 低Qg和Qgd

  • 超低RDS(on)

  • 低熱�

  • 雪崩額定�

  • �(wú)鉛端子電�

  • 符合RoHS

  • �(wú)�

  • SON5mm×6mm塑料封裝

�(yīng)用領(lǐng)�

  • 用于�(wǎng)�(luò)互聯(lián)、電信和�(jì)算系�(tǒng)的負(fù)載點(diǎn)同步降壓�(zhuǎn)換器

  • 已針�(duì)同步FET�(yīng)用�(jìn)行優(yōu)�

引腳�

CAD模型

CSD17573Q5B符號(hào)

CSD17573Q5B符號(hào)

CSD17573Q5B腳印

CSD17573Q5B腳印

封裝

CSD17573Q5B封裝

CSD17573Q5B封裝

替代型號(hào)

型號(hào)
制造商
品名
描述
CSD17573Q5BT德州儀�
MOS�MOS� N 通道 NexFET? 功率 MOSFET,Texas Instruments MOSFET 晶體�

csd17573q5b推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

csd17573q5b資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

csd17573q5b圖片

csd17573q5b

csd17573q5b參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�10,601�(xiàn)�10,000Factory
  • �(jià)�1 : �12.32000剪切帶(CT�2,500 : �6.25028卷帶(TR�
  • 系列NexFET?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�30 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)100A(Ta�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�4.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)1 毫歐 @ 35A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)1.8V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)64 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)9000 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.2W(Ta��195W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�8-VSON-CLIP�5x6�
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN