CSD18532NQ5B 是一款由德州儀� (TI) 推出� NexFET 功率 MOSFET,采� 5x6 mm SON 封裝。該器件專為高效率、高頻開關應用設�,廣泛應用于 DC-DC 轉換�、電機驅動器和負載點 (POL) 轉換等場��
這款功率 MOSFET 具有極低的導通電� Rds(on),有助于減少傳導損�,從而提升系�(tǒng)整體效率。此�,其快速開關特性使其適用于高頻工作�(huán)��
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�74A
導通電阻(典型值)�2.5mΩ
柵極電荷(典型值)�49nC
反向恢復電荷:無
工作結溫范圍�-55°C � 175°C
CSD18532NQ5B 提供了極低的導通電阻和柵極電荷,能夠在高頻條件下實現高效的開關操作�
它采用了先進的半導體工藝制造,具備出色的熱性能和電氣性能�
該器件還具有堅固的封裝結�,能夠承受較高的電流密度,并支持表面貼裝技� (SMT),便于自動化生產和組��
由于其耐高溫特性,該器件適合在惡劣�(huán)境下使用,例如工�(yè)電源或汽車電子領域�
CSD18532NQ5B 廣泛用于各種高效能電力轉換場�,包括但不限于以下應用:
- 開關模式電源 (SMPS)
- DC-DC 轉換�
- 同步整流電路
- 電機驅動�
- 工業(yè)自動化控�
- 通信電源
- 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換
CSD18533Q5B
CSD18534Q5B
CSD18535Q5B