CSD18532Q5B這款2.5mΩ�60VSON5mm×6mmNexFET?功率MOSFET旨在最大限度地減少功率�(zhuǎn)換應(yīng)用中的損�。N溝道60V100A(Ta)3.2W(Ta),156W(Tc)表面貼裝8-VSONP(5x6),RθJA=40°C/W,這是在一�(gè)厚度0.06英寸�(huán)氧樹�(FR4)印刷電路�(PCB)上的1英寸2�2盎司的銅過渡墊片上測(cè)得的典型�。最大RθJC=0.8oC/W,脈沖持�(xù)�(shí)間≤100μs,占空比�1%。應(yīng)用于直流-直流�(zhuǎn)�,次�(jí)�(cè)同步整流器,隔離式轉(zhuǎn)換器主級(jí)�(cè)開關(guān)和電�(jī)控制��
制造商 | 德州儀� |
制造商�(chǎn)品編�(hào) | CSD18532Q5B |
供應(yīng)� | 德州儀� |
描述 | MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON |
工作溫度 | -55°C~150°C(TJ) |
安裝類型 | 表面貼裝� |
供應(yīng)商器件封� | 8-VSONP(5x6) |
封裝/外殼 | 8-PowerTDFN |
基本�(chǎn)品編�(hào) | CSD18532 |
CSD18532Q5B
零件狀�(tài) | 活� |
�(chǎng)效應(yīng)管類� | N通道 |
技�(shù) | MOSFET(金屬氧化�) |
漏源電壓(Vdss) | 60� |
電流-連續(xù)漏極(Id)@25°C | 100A(Ta) |
�(qū)�(dòng)電壓(MaxRdsOn,MinRdsOn) | 4.5V�10V |
RdsOn(Max)@Id,Vgs | 3.2mOhm@25A�10V |
Vgs(th)(Max)@Id | 2.2V@250μA |
柵極電荷(Qg)(最大�)@Vgs | 58nC@10V |
Vgs(最�) | ±20V |
輸入電容(Ciss)(Max)@Vds | 5070pF@30V |
功�(最�) | 3.2W(Ta),156W(Tc) |
供應(yīng)商設(shè)備包8-VSONP(5x6) | 8-VSONP(5x6) |
包裝/� | 8-PowerTDFN |
引腳�(shù) | 8 |
連續(xù)漏極電流(ID) | 23A |
漏源擊穿電壓 | 60� |
漏源電阻 | 2.5毫歐 |
漏源電壓(Vdss) | 60� |
柵源電壓(Vgs) | 20� |
輸入電容 | 5.07nF |
最大結(jié)�(Tj) | 150� |
最大功� | 3.2� |
通道�(shù) | 1 |
元素?cái)?shù)� | 1 |
功� | 3.2� |
開啟延遲�(shí)� | 5.8納秒 |
高度 | 1.05毫米 |
�(zhǎng)� | 5毫米 |
厚度 | 950微米 |
寬度 | 5毫米 |
屬� | 描述 |
RoHS狀�(tài) | 符合ROHS3 |
濕氣敏感�(MSL) | 1(無限�) |
REACH狀�(tài) | REACH受影� |
無鉛 | 含鉛 |
超低Qg和Qgd
低熱�
雪崩額定�
輯電�
無鉛端子電鍍
符合RoHS
無鹵
SON5mm×6mm塑料封裝
直流-直流�(zhuǎn)�
次級(jí)�(cè)同步整流�
隔離式轉(zhuǎn)換器主級(jí)�(cè)開關(guān)
電機(jī)控制
CSD18532Q5B符號(hào)
CSD18532Q5B腳印
CSD18532Q5B封裝
型號(hào) | 制造商 | 品名 | 描述 |
CSD18532NQ5B | 德州儀� | MOS� | 60VN通道NexFET功率MOSFET |
CSD18532Q5BT | 德州儀� | MOS� | 60V、單�、SON5x6�3.2mΩ8-VSON-CLIP-55to150 |
IRFH5006TRPBF | 英飛� | MOS� | 晶體�,MOSFET,N溝道,21A,60V,0.0035ohm,10V |