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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > CSD18532Q5B

CSD18532Q5B 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/7/6 17:48:31 查看 閱讀�857

描述

CSD18532Q5B這款2.5mΩ�60VSON5mm×6mmNexFET?功率MOSFET旨在最大限度地減少功率�(zhuǎn)換應(yīng)用中的損�。N溝道60V100A(Ta)3.2W(Ta),156W(Tc)表面貼裝8-VSONP(5x6),RθJA=40°C/W,這是在一�(gè)厚度0.06英寸�(huán)氧樹�(FR4)印刷電路�(PCB)上的1英寸2�2盎司的銅過渡墊片上測(cè)得的典型�。最大RθJC=0.8oC/W,脈沖持�(xù)�(shí)間≤100μs,占空比�1%。應(yīng)用于直流-直流�(zhuǎn)�,次�(jí)�(cè)同步整流器,隔離式轉(zhuǎn)換器主級(jí)�(cè)開關(guān)和電�(jī)控制��

�(chǎn)品概�

制造商德州儀�
制造商�(chǎn)品編�(hào)CSD18532Q5B
供應(yīng)�德州儀�
描述MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
工作溫度-55°C~150°C(TJ)
安裝類型表面貼裝�
供應(yīng)商器件封�8-VSONP(5x6)
封裝/外殼8-PowerTDFN
基本�(chǎn)品編�(hào)CSD18532

�(chǎn)品圖�

CSD18532Q5B

CSD18532Q5B

�(guī)格參�(shù)

零件狀�(tài)
活�
�(chǎng)效應(yīng)管類�
N通道
技�(shù)
MOSFET(金屬氧化�)
漏源電壓(Vdss)
60�
電流-連續(xù)漏極(Id)@25°C
100A(Ta)
�(qū)�(dòng)電壓(MaxRdsOn,MinRdsOn)
4.5V�10V
RdsOn(Max)@Id,Vgs
3.2mOhm@25A�10V
Vgs(th)(Max)@Id
2.2V@250μA
柵極電荷(Qg)(最大�)@Vgs
58nC@10V
Vgs(最�)
±20V
輸入電容(Ciss)(Max)@Vds
5070pF@30V
功�(最�)3.2W(Ta),156W(Tc)
供應(yīng)商設(shè)備包8-VSONP(5x6)
8-VSONP(5x6)
包裝/�
8-PowerTDFN
引腳�(shù)
8
連續(xù)漏極電流(ID)
23A
漏源擊穿電壓
60�
漏源電阻
2.5毫歐
漏源電壓(Vdss)
60�
柵源電壓(Vgs)20�
輸入電容
5.07nF
最大結(jié)�(Tj)
150�
最大功�
3.2�
通道�(shù)
1
元素?cái)?shù)�1
功�3.2�
開啟延遲�(shí)�
5.8納秒
高度
1.05毫米
�(zhǎng)�
5毫米
厚度
950微米
寬度
5毫米

�(huán)境與出口分類

屬�描述
RoHS狀�(tài)
符合ROHS3
濕氣敏感�(MSL)1(無限�)
REACH狀�(tài)
REACH受影�
無鉛含鉛

特點(diǎn)

  • 超低Qg和Qgd

  • 低熱�

  • 雪崩額定�

  • 輯電�

  • 無鉛端子電鍍

  • 符合RoHS

  • 無鹵

  • SON5mm×6mm塑料封裝

�(yīng)用領(lǐng)�

  • 直流-直流�(zhuǎn)�

  • 次級(jí)�(cè)同步整流�

  • 隔離式轉(zhuǎn)換器主級(jí)�(cè)開關(guān)

  • 電機(jī)控制

電路�

引腳�

CAD模型

CSD18532Q5B符號(hào)

CSD18532Q5B符號(hào)

CSD18532Q5B腳印

CSD18532Q5B腳印

封裝

CSD18532Q5B封裝

CSD18532Q5B封裝

替代型號(hào)

型號(hào)
制造商
品名
描述
CSD18532NQ5B德州儀�
MOS�
60VN通道NexFET功率MOSFET
CSD18532Q5BT
德州儀�MOS�60V、單�、SON5x6�3.2mΩ8-VSON-CLIP-55to150
IRFH5006TRPBF
英飛�MOS�晶體�,MOSFET,N溝道,21A,60V,0.0035ohm,10V

�(chǎn)品制造商介紹


csd18532q5b推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

csd18532q5b資料 更多>

  • 型號(hào)
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csd18532q5b圖片

csd18532q5b

csd18532q5b參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�3,109�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �18.76000剪切帶(CT�2,500 : �9.53988卷帶(TR�
  • 系列NexFET?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�60 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)100A(Ta�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�4.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)3.2 毫歐 @ 25A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)58 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)5070 pF @ 30 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.2W(Ta��156W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�8-VSONP�5x6�
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN