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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > CSD19506KCS

CSD19506KCS 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/6 20:53:34 查看 閱讀�24

CSD19506KCS 是一款由德州儀器(TI)生�(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用了先�(jìn)的工藝制�,適用于需要高效能、低功耗的�(kāi)�(guān)�(yīng)�。其�(yōu)化的�(shè)�(jì)使其在高頻開(kāi)�(guān)條件下表�(xiàn)�(yōu)�,同�(shí)具備較低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 和快速的�(kāi)�(guān)速度。這使� CSD19506KCS 廣泛�(yīng)用于電源管理�(lǐng)�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及 LED �(qū)�(dòng)等場(chǎng)��
  該器件采用小尺寸封裝技�(shù),支持高密度�(shè)�(jì),并具有出色的熱性能,適合空間受限的�(yīng)用環(huán)境�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�43A
  �(dǎo)通電阻:3.5mΩ
  柵極電荷�78nC
  總電容:1350pF
  工作溫度范圍�-55°C � 175°C
  封裝類型:TO-263-3

特�

CSD19506KCS 的主要特�(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電阻和高效的開(kāi)�(guān)性能。這種� Rds(on) �(shè)�(jì)可顯著降低導(dǎo)通損�,從而提高整體效率并減少熱量生成。此�,其快速的�(kāi)�(guān)特性和低柵極電荷使該器件非常適合高頻應(yīng)��
  � MOSFET 還具備出色的熱穩(wěn)定性,在高溫環(huán)境下依然能夠保持良好的性能。同�(shí),它的堅(jiān)固構(gòu)造可以承受較高的瞬態(tài)電壓和電流沖�,確保系�(tǒng)�(yùn)行的可靠��
  由于采用� TO-263-3 封裝,該器件不僅易于安裝,而且散熱性能良好,非常適合用于緊湊型�(shè)�(jì)中�

�(yīng)�

CSD19506KCS 主要�(yīng)用于各種功率�(zhuǎn)換和控制�(chǎng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源 (SMPS)�
   - DC-DC �(zhuǎn)換器
   - PFC(功率因�(shù)校正)電�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)�
   - �(wú)刷直流電�(jī) (BLDC)
   - 步�(jìn)電機(jī)控制�
  3. 照明�
   - 高亮� LED �(qū)�(dòng)
   - 智能照明系統(tǒng)
  4. 工業(yè)�(shè)備:
   - 工業(yè)自動(dòng)�
   - 伺服�(qū)�(dòng)
  5. 消費(fèi)類電子:
   - 筆記本電腦適配器
   - 充電器模�
  CSD19506KCS 憑借其高性能和靈活�,幾乎可以滿足所有對(duì)功率效率有較高要求的�(yīng)用需��

替代型號(hào)

CSD18504Q5A, CSD19501KM, IRF3710

csd19506kcs推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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  • 封裝/批號(hào)
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  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
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csd19506kcs參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�25�(xiàn)�10,000Factory
  • �(jià)�1 : �39.27000管件
  • 系列NexFET?
  • 包裝管件
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�80 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)100A(Ta�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�6V�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)2.3 毫歐 @ 100A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)3.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)156 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)12200 pF @ 40 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)375W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型通孔
  • 供應(yīng)商器件封�TO-220-3
  • 封裝/外殼TO-220-3