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CSD22206W 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/6 20:44:11 查看 閱讀�27

CSD22206W是德州儀器(TI)推出的一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于多種高效能電源管理應(yīng)�。其小型封裝�(shè)�(jì)使其非常適合空間受限的設(shè)�(jì)場景�
  該芯片通常用于DC-DC�(zhuǎn)換器、同步整流電路、負(fù)載開�(guān)以及電池保護(hù)等應(yīng)用領(lǐng)�。通過�(yōu)化的電氣特性和熱性能,CSD22206W能夠有效降低系統(tǒng)功耗并提升整體效率�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  最大連續(xù)漏極電流�18A
  典型�(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.5mΩ
  柵極電荷�9nC
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�
  封裝類型:SON 8-pin (DDPAK)

特�

CSD22206W具有非常低的�(dǎo)通電阻(Rds(on)�,這使得它在高電流�(yīng)用中表現(xiàn)出色,并且可以顯著減少傳�(dǎo)損��
  此外,該器件具備快速開�(guān)能力,有助于降低開關(guān)損�,從而提高電源轉(zhuǎn)換效��
  由于采用了先�(jìn)的封裝技�(shù),CSD22206W能夠在有限的空間�(nèi)提供卓越的散熱性能,適合緊湊型�(shè)�(jì)�
  其較高的工作溫度范圍確保了在極端條件下的可靠�(yùn)�,同�(shí)增強(qiáng)了系�(tǒng)的耐用性�
  整體而言,這款MOSFET以其高效、緊湊和�(wěn)定的特點(diǎn)成為眾多電源解決方案的理想選��

�(yīng)�

CSD22206W廣泛�(yīng)用于各種需要高性能功率開關(guān)的場�,例如:
  - DC-DC�(zhuǎn)換器中的主開�(guān)或同步整流開�(guān)
  - 筆記本電腦及平板�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)
  - 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率級開�(guān)
  - 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電源管理模�
  - 各類電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保�(hù)開關(guān)
  憑借其�(yōu)異的電氣性能和熱性能,CSD22206W可滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對效率和可靠性的�(yán)格要��

替代型號

CSD18506Q5A, IRF7843, AO6206

csd22206w推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

csd22206w參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�1,404�(xiàn)�9,000Factory
  • �(jià)�1 : �5.88000剪切帶(CT�3,000 : �2.22995卷帶(TR�
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型P 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�8 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)5A(Ta�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�2.5V�4.5V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)5.7 毫歐 @ 2A�4.5V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)1.05V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)14.6 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)-6V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)2275 pF @ 4 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.7W(Ta�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�9-DSBGA
  • 封裝/外殼9-UFBGA,DSBGA