CSD2475G 是一款由德州儀� (TI) 生產� N 溝道增強� MOSFET。該器件采用 GaN(氮化鎵)技�,具有超低導通電阻和極快的開關速度,適用于高頻、高效率電源轉換應用。其封裝形式� LLP 8-1.4x1.6,能夠顯著降低寄生電感的影響,從而提升整體系�(tǒng)性能�
該器件在設計上注重提高功率密度和效率,廣泛應用于 DC/DC 轉換器、負載點轉換� (POL) 和其他需要高性能開關的應用場��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�19A
導通電阻(典型值)�1.3mΩ
柵極電荷(典型值)�30nC
開關速度:非?�?br> 工作溫度范圍�-55� � +150�
封裝形式:LLP 8-1.4x1.6
1. 極低的導通電� (Rds(on)),僅� 1.3mΩ,有助于減少傳導損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 高速開關性能,支持高� MHz 級別的開關頻�,非常適合高頻應��
3. 小巧� LLP 封裝形式,降低了寄生電感對性能的影��
4. 高度可靠� GaN 技�,確保在嚴苛�(huán)境下的穩(wěn)定運��
5. 寬廣的工作溫度范� (-55� � +150�),滿足各種工�(yè)和汽車應用場景的需��
6. 具備出色的熱性能,有助于簡化散熱設計并減小整體解決方案尺寸�
1. 高效 DC/DC 轉換器設��
2. 負載點轉換器 (POL)�
3. 服務器和通信設備中的電源模塊�
4. 工業(yè)電機驅動和控��
5. 汽車電子系統(tǒng)中的高效電源管理�
6. 任何需要高效率和高功率密度的開關應��
CSD2474G