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CSD2475G 發(fā)布時間 時間�2025/3/31 17:48:31 查看 閱讀�42

CSD2475G 是一款由德州儀� (TI) 生產� N 溝道增強� MOSFET。該器件采用 GaN(氮化鎵)技�,具有超低導通電阻和極快的開關速度,適用于高頻、高效率電源轉換應用。其封裝形式� LLP 8-1.4x1.6,能夠顯著降低寄生電感的影響,從而提升整體系�(tǒng)性能�
  該器件在設計上注重提高功率密度和效率,廣泛應用于 DC/DC 轉換器、負載點轉換� (POL) 和其他需要高性能開關的應用場��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�19A
  導通電阻(典型值)�1.3mΩ
  柵極電荷(典型值)�30nC
  開關速度:非?�?br>  工作溫度范圍�-55� � +150�
  封裝形式:LLP 8-1.4x1.6

特�

1. 極低的導通電� (Rds(on)),僅� 1.3mΩ,有助于減少傳導損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 高速開關性能,支持高� MHz 級別的開關頻�,非常適合高頻應��
  3. 小巧� LLP 封裝形式,降低了寄生電感對性能的影��
  4. 高度可靠� GaN 技�,確保在嚴苛�(huán)境下的穩(wěn)定運��
  5. 寬廣的工作溫度范� (-55� � +150�),滿足各種工�(yè)和汽車應用場景的需��
  6. 具備出色的熱性能,有助于簡化散熱設計并減小整體解決方案尺寸�

應用

1. 高效 DC/DC 轉換器設��
  2. 負載點轉換器 (POL)�
  3. 服務器和通信設備中的電源模塊�
  4. 工業(yè)電機驅動和控��
  5. 汽車電子系統(tǒng)中的高效電源管理�
  6. 任何需要高效率和高功率密度的開關應��

替代型號

CSD2474G