CSD25402Q3A 是一款由德州儀� (TI) 提供� NexFET 功率 MOSFET,采用先進的硅技�(shù)制�。該器件� N 溝道增強� MOSFET,專為高效率開關(guān)應用設計。其低導通電阻和�(yōu)化的開關(guān)性能使其非常適合� DC-DC �(zhuǎn)換器、負載點�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及電池供電設備等應用�
這款 MOSFET 具有出色的熱性能和電氣性能,能夠有效降低功耗并提高整體系統(tǒng)效率。CSD25402Q3A 采用小巧� QFN 封裝�2.5mm x 2.5mm�,有助于減少 PCB 空間占用,同時提供可靠的電氣連接�
型號:CSD25402Q3A
類型:N 溝道 MOSFET
VDS(漏源極電壓):60V
RDS(on)(導通電�,典型值)�18mΩ @ VGS = 10V
最大連續(xù)漏電流:ID = 19A
柵極電荷:Qg = 38nC
反向恢復電荷:Qrr = 7nC
封裝:WSON-6 (2.5mm x 2.5mm)
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
CSD25402Q3A 提供了以下關(guān)鍵特性:
1. 極低的導通電� (RDS(on)),有助于降低傳導損�,從而提升效率�
2. �(yōu)化的柵極電荷 (Qg),可實現(xiàn)快速開�(guān),進一步降低開�(guān)損耗�
3. 高度集成的小� WSON-6 封裝,節(jié)� PCB 布局空間�
4. 支持高頻操作,適合同步整流和降壓/升壓拓撲�
5. 寬泛的工作溫度范� (-55°C � +175°C),確保在各種�(huán)境下的可靠��
6. 反向恢復電荷 (Qrr) 較低,減少寄生二極管的影�,提升整體性能�
這些特性使 CSD25402Q3A 成為高功率密度和高效能設計的理想選擇�
CSD25402Q3A 主要應用于以下領(lǐng)域:
1. 同步整流 DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 降壓或升壓電源管理模塊�
3. 筆記本電腦和平板電腦的適配器�
4. 電動工具及便攜式電子設備中的電池管理系統(tǒng)�
5. 汽車電子中的輔助電源電路�
6. 工業(yè)自動化設備中的電機驅(qū)動控制�
7. 高效節(jié)能的 LED �(qū)動電��
其優(yōu)異的性能和緊湊的封裝使得該器件適用于廣泛的高效率、小體積需求的應用場景�
CSD18502Q3A
CSD25404Q5A