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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > CSD25402Q3A

CSD25402Q3A 發(fā)布時間 時間�2025/5/6 12:17:13 查看 閱讀�26

CSD25402Q3A 是一款由德州儀� (TI) 提供� NexFET 功率 MOSFET,采用先進的硅技�(shù)制�。該器件� N 溝道增強� MOSFET,專為高效率開關(guān)應用設計。其低導通電阻和�(yōu)化的開關(guān)性能使其非常適合� DC-DC �(zhuǎn)換器、負載點�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及電池供電設備等應用�
  這款 MOSFET 具有出色的熱性能和電氣性能,能夠有效降低功耗并提高整體系統(tǒng)效率。CSD25402Q3A 采用小巧� QFN 封裝�2.5mm x 2.5mm�,有助于減少 PCB 空間占用,同時提供可靠的電氣連接�

參數(shù)

型號:CSD25402Q3A
  類型:N 溝道 MOSFET
  VDS(漏源極電壓):60V
  RDS(on)(導通電�,典型值)�18mΩ @ VGS = 10V
  最大連續(xù)漏電流:ID = 19A
  柵極電荷:Qg = 38nC
  反向恢復電荷:Qrr = 7nC
  封裝:WSON-6 (2.5mm x 2.5mm)
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

CSD25402Q3A 提供了以下關(guān)鍵特性:
  1. 極低的導通電� (RDS(on)),有助于降低傳導損�,從而提升效率�
  2. �(yōu)化的柵極電荷 (Qg),可實現(xiàn)快速開�(guān),進一步降低開�(guān)損耗�
  3. 高度集成的小� WSON-6 封裝,節(jié)� PCB 布局空間�
  4. 支持高頻操作,適合同步整流和降壓/升壓拓撲�
  5. 寬泛的工作溫度范� (-55°C � +175°C),確保在各種�(huán)境下的可靠��
  6. 反向恢復電荷 (Qrr) 較低,減少寄生二極管的影�,提升整體性能�
  這些特性使 CSD25402Q3A 成為高功率密度和高效能設計的理想選擇�

應用

CSD25402Q3A 主要應用于以下領(lǐng)域:
  1. 同步整流 DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 降壓或升壓電源管理模塊�
  3. 筆記本電腦和平板電腦的適配器�
  4. 電動工具及便攜式電子設備中的電池管理系統(tǒng)�
  5. 汽車電子中的輔助電源電路�
  6. 工業(yè)自動化設備中的電機驅(qū)動控制�
  7. 高效節(jié)能的 LED �(qū)動電��
  其優(yōu)異的性能和緊湊的封裝使得該器件適用于廣泛的高效率、小體積需求的應用場景�

替代型號

CSD18502Q3A
  CSD25404Q5A

csd25402q3a推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

csd25402q3a資料 更多>

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csd25402q3a參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�65,196�(xiàn)�
  • 價格1 : �7.00000剪切帶(CT�2,500 : �3.17977卷帶(TR�
  • 系列NexFET?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型P 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�20 V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)76A(Tc�
  • �(qū)動電壓(最� Rds On,最� Rds On�1.8V�4.5V
  • 不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值)8.9 毫歐 @ 10A�4.5V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)1.15V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)9.7 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±12V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)1790 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2.8W(Ta��69W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應商器件封�8-VSONP�3x3.15�
  • 封裝/外殼8-PowerVDFN