CSD25501F3是德州儀器(TI)推出的一款N溝道增強(qiáng)型碳化硅(SiC)MOSFET。該器件具有高效率和快速開�(guān)性能,適用于高頻、高壓的�(yīng)用場(chǎng)�。由于其采用了先�(jìn)的碳化硅技�(shù),CSD25501F3能夠在高溫環(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)�,并且具備較低的�(dǎo)通電阻和開關(guān)損��
這款MOSFET的主要應(yīng)用領(lǐng)域包括功率因�(shù)校正(PFC)、DC-DC�(zhuǎn)換器、太�(yáng)能逆變器以及電�(dòng)汽車充電�(shè)備等。通過減少能量損失和提高系�(tǒng)效率,CSD25501F3為設(shè)�(jì)者提供了更高的靈活性和更優(yōu)的性能表現(xiàn)�
最大漏源電壓:1200V
連續(xù)漏極電流�16A
�(dǎo)通電阻:80mΩ
柵極電荷�90nC
輸入電容�480pF
輸出電容�270pF
反向傳輸電容�110pF
工作�(jié)溫范圍:-55� to 175�
CSD25501F3采用碳化硅材料制造,與傳�(tǒng)硅基MOSFET相比,具有以下顯著優(yōu)�(shì)�
1. 更高的耐壓能力:能夠承受高�(dá)1200V的工作電壓,非常適合高壓�(yīng)用場(chǎng)��
2. 更低的導(dǎo)通電阻:在相同的封裝和額定電流下,CSD25501F3的導(dǎo)通電阻遠(yuǎn)低于減少了導(dǎo)通損耗�
3. 快速開�(guān)速度:得益于碳化硅材料的�(yōu)異性能,該器件的開�(guān)速度更快,能夠有效降低開�(guān)損��
4. 高溫�(wěn)定性:支持高達(dá)175℃的工作�(jié)溫,確保在極端條件下仍能正常�(yùn)��
5. 小型化設(shè)�(jì):與同等性能的傳�(tǒng)硅器件相�,CSD25501F3可以�(shí)�(xiàn)更小的體積和重量,有助于減小整體系統(tǒng)的尺寸�
此外,該器件還具有良好的可靠性和魯棒�,適合各種工�(yè)和汽車級(jí)�(yīng)用�
CSD25501F3廣泛�(yīng)用于需要高效率和高性能的電力電子系�(tǒng)�,具體應(yīng)用包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 功率因數(shù)校正(PFC)電路:用于提升AC-DC�(zhuǎn)換器的輸入功率因�(shù),同�(shí)降低諧波失真�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器:在通信電源、服�(wù)器電源等�(lǐng)�,作為主開關(guān)管或同步整流管使用�
3. 太陽(yáng)能逆變器:用于將直流電�(zhuǎn)化為交流�,以饋入電網(wǎng)或驅(qū)�(dòng)�(fù)��
4. 電動(dòng)汽車充電�(shè)備:在車載充電器(OBC)和充電樁中�(fā)揮核心作用,提升充電效率并縮短充電時(shí)��
5. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng):提供高�、可靠的功率控制解決方案,滿足現(xiàn)代工�(yè)自動(dòng)化的需��
CSD19506Q5B, CSD19507Q5B