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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > CSD25501F3

CSD25501F3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/6 16:08:09 查看 閱讀�25

CSD25501F3是德州儀器(TI)推出的一款N溝道增強(qiáng)型碳化硅(SiC)MOSFET。該器件具有高效率和快速開�(guān)性能,適用于高頻、高壓的�(yīng)用場(chǎng)�。由于其采用了先�(jìn)的碳化硅技�(shù),CSD25501F3能夠在高溫環(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)�,并且具備較低的�(dǎo)通電阻和開關(guān)損��
  這款MOSFET的主要應(yīng)用領(lǐng)域包括功率因�(shù)校正(PFC)、DC-DC�(zhuǎn)換器、太�(yáng)能逆變器以及電�(dòng)汽車充電�(shè)備等。通過減少能量損失和提高系�(tǒng)效率,CSD25501F3為設(shè)�(jì)者提供了更高的靈活性和更優(yōu)的性能表現(xiàn)�

參數(shù)

最大漏源電壓:1200V
  連續(xù)漏極電流�16A
  �(dǎo)通電阻:80mΩ
  柵極電荷�90nC
  輸入電容�480pF
  輸出電容�270pF
  反向傳輸電容�110pF
  工作�(jié)溫范圍:-55� to 175�

特�

CSD25501F3采用碳化硅材料制造,與傳�(tǒng)硅基MOSFET相比,具有以下顯著優(yōu)�(shì)�
  1. 更高的耐壓能力:能夠承受高�(dá)1200V的工作電壓,非常適合高壓�(yīng)用場(chǎng)��
  2. 更低的導(dǎo)通電阻:在相同的封裝和額定電流下,CSD25501F3的導(dǎo)通電阻遠(yuǎn)低于減少了導(dǎo)通損耗�
  3. 快速開�(guān)速度:得益于碳化硅材料的�(yōu)異性能,該器件的開�(guān)速度更快,能夠有效降低開�(guān)損��
  4. 高溫�(wěn)定性:支持高達(dá)175℃的工作�(jié)溫,確保在極端條件下仍能正常�(yùn)��
  5. 小型化設(shè)�(jì):與同等性能的傳�(tǒng)硅器件相�,CSD25501F3可以�(shí)�(xiàn)更小的體積和重量,有助于減小整體系統(tǒng)的尺寸�
  此外,該器件還具有良好的可靠性和魯棒�,適合各種工�(yè)和汽車級(jí)�(yīng)用�

�(yīng)�

CSD25501F3廣泛�(yīng)用于需要高效率和高性能的電力電子系�(tǒng)�,具體應(yīng)用包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 功率因數(shù)校正(PFC)電路:用于提升AC-DC�(zhuǎn)換器的輸入功率因�(shù),同�(shí)降低諧波失真�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器:在通信電源、服�(wù)器電源等�(lǐng)�,作為主開關(guān)管或同步整流管使用�
  3. 太陽(yáng)能逆變器:用于將直流電�(zhuǎn)化為交流�,以饋入電網(wǎng)或驅(qū)�(dòng)�(fù)��
  4. 電動(dòng)汽車充電�(shè)備:在車載充電器(OBC)和充電樁中�(fā)揮核心作用,提升充電效率并縮短充電時(shí)��
  5. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng):提供高�、可靠的功率控制解決方案,滿足現(xiàn)代工�(yè)自動(dòng)化的需��

替代型號(hào)

CSD19506Q5B, CSD19507Q5B

csd25501f3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

csd25501f3參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�1 : �3.42000剪切帶(CT�3,000 : �0.75842卷帶(TR�
  • 系列FemtoFET?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型P 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�20 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)3.6A(Ta�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�1.8V�4.5V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)76 毫歐 @ 400mA�4.5V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)1.05V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)1.33 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)-20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)385 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)500mW(Ta�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�3-LGA�0.73x0.64�
  • 封裝/外殼3-XFLGA